Lokalkammer Düsseldorf UPC_CFI_483/2023

Entscheidung
des Gerichts erster Instanz des einheitlichen Patentgerichts
verkündet am 10. Oktober 2024
betreffend 3 223 320 B1

LEITSÄTZE:
1. Möchte der Kläger mehrere Beklagte in Anspruch nehmen, hat er die Wahl, ob er die Beklag-ten jeweils einzeln verklagt oder ob er eine Klage erhebt, die sich gegen mehrere Beklagte richtet. Entscheidet sich der Kläger für Letzteres, sind die Klagen gleichwohl jeweils selbstän-dig zu behandeln. Jeder Beklagte führt seinen eigenen Prozess formell und inhaltlich unab-hängig von den anderen, ohne dass die jeweiligen Handlungen des einen Beklagten Vor- oder Nachteile für den anderen Beklagten bewirken.
2. Verlangt R. 25.1 VerfO die Erhebung einer Widerklage auf Nichtigerklärung des Patents, so-fern die Klageerwiderung die Behauptung umfasst, dass das angeblich verletzte Patent un-gültig ist, gilt dies für jeden Beklagten gesondert. Dies schließt die gemeinsame Erhebung einer Nichtigkeitswiderklage durch mehrere Beklagte nicht aus. Entscheiden sich jedoch ein-zelne Beklagte gegen die Erhebung einer Nichtigkeitswiderklage und wird die Widerklage da-her ausdrücklich nur durch einzelne Beklagte erhoben, ist für die an der Nichtigkeitswider-klage unbeteiligten Beklagten die Rechtsbeständigkeitsargumentation formal ausgeschlos-sen. Sie können sich daher in ihrem Verfahren nicht mit Erfolg auf den fehlenden Rechtsbe-stand berufen. Solange das Gericht von einer Trennung der Verfahren gegen mehrere Be-klagte absieht, wirkt sich dies jedoch faktisch nicht aus.
3. Die Beantwortung der Frage, ob eine Anordnung oder Entscheidung von einer vom Gericht festzusetzenden Sicherheit abhängig gemacht werden soll (R. 118.8 VerfO), bedarf stets ei-ner Einzelfallprüfung, bei der das Interesse der Klägerin an einer effektiven Durchsetzung ihres Schutzrechts mit dem Interesse an der effektiven Durchsetzung möglicher Schadenersatzansprü-che im Fall einer späteren Aufhebung des Urteils abzuwägen ist. Zu den Faktoren, die bei der Frage nach der Anordnung einer Sicherheitsleistung zu berücksichtigen sind, gehören die finan-zielle Lage des Klägers, die Anlass zu der berechtigten und realen Sorge geben kann, dass ein möglicher Schadenersatzanspruch nicht oder nur mit einem unverhältnismäßigen Aufwand durchgesetzt und/oder vollstreckt werden kann. Ob und inwieweit solche Faktoren vorliegen an-hand der von den Parteien vorgetragenen Tatsachen und Argumente zu ermitteln.

SCHLAGWÖRTER:
isolierte Nichtigkeitswiderklage durch einzelne Beklagte; unmittelbare Patentverletzung; keine Si-cherheitsleistung

Klägerin:
Seoul Viosys Co., Ltd., gesetzlich vertreten durch ihre vertretungsberechtigten Vorstände Chung-Hoon Lee und Young Ju Lee, 65-16, Sandan-ro 163 beon-gil, Danwon-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do, 15429, Republik Korea,
vertreten durch: Rechtsanwalt Dr. Bolko Ehlgen, Rechtsanwältin Dr. Julia Schön-bohm, Kanzlei Linklaters LLP, Taunusanlage 8, 60329 Frankfurt am Main, Deutschland,
unterstützt durch: Patentanwalt Dr. Dipl.-Phys. Olaf Isfort, Kanzlei Schneiders & Beh¬rendt, Huestraße 23, 44787 Bochum,
elektronische Zustelladresse: bolko.ehlgen@linklaters.com

Beklagte:
1. expert e-Commerce GmbH, gesetzlich vertreten durch ihre Geschäftsführer Dr. Stefan Mül-ler und Michael Grandin, Bayernstraße 4, 30855 Langenhagen,
vertreten durch: Rechtsanwalt Dr. Dirk Jestaedt, Kanzlei Krieger Mes & Graf von der Groeben Part mbB, Bennigsen-Platz 1, 40474 Düsseldorf,
elektronische Zustelladresse: info@krieger-mes.de
unter Mitwirkung von: Patentanwalt Bernhard Ganahl, HGF Europe LLP, Neumarkter Straße 18, 81673 München,
2. expert klein GmbH, gesetzlich vertreten durch ihre Geschäftsführer Jens Oerter und Thomas Jacob, Jägerstraße 32, 57299 Burbach,
vertreten durch: Rechtsanwalt Dr. Dirk Jestaedt, Kanzlei Krieger Mes & Graf von der Groeben Part mbB, Bennigsen-Platz 1, 40474 Düsseldorf,
elektronische Zustelladresse: info@krieger-mes.de
unter Mitwirkung von: Patentanwalt Bernhard Ganahl, HGF Europe LLP, Neumarkter Straße 18, 81673 München,

STREITPATENT:
Europäisches Patent Nr. 3 223 320 B1
SPRUCHKÖRPER/KAMMER:
Spruchkörper der Lokalkammer Düsseldorf

MITWIRKENDE RICHTER:
Die Entscheidung wurde verkündet unter Mitwirkung des Vorsitzenden Richters Thomas als Be-richterstatter, der rechtlich qualifizierten Richterin Dr. Thom, der rechtlich qualifizierten Richterin Mlakar sowie der technisch qualifizierten Richterin Sani.

VERFAHRENSSPRACHE: Deutsch

GEGENSTAND: Verletzungsklage und Nichtigkeitswiderklage

MÜNDLICHE VERHANDLUNG: 5. September 2024

KURZE DARSTELLUNG DES SACHVERHALTS:
Die Klägerin nimmt die Beklagten wegen einer Verletzung des EP 3 223 320 B1 (nachfolgend: Streit-patent) in Anspruch. Das Streitpatent ist eine Teilanmeldung des Europäischen Patents EP 2 757 598 B1. Es beansprucht die Priorität der KR20110093396 vom 16. September 2011, der KR20210015758 vom 16. Februar 2012 und der KR20120052722 vom 17. Mai 2012. Das Europäi-sche Patentamt hat den Hinweis auf die Erteilung des Streitpatents mit Wirkung (unter anderem) für Deutschland, Frankreich, Italien und die Niederlande am 21. Juli 2023 bekannt gemacht, wobei die Klägerin eingetragene Inhaberin des Streitpatents ist. Das Streitpatent steht in den vorgenann-ten Vertragsstaaten in Kraft.
Das in englischer Verfahrenssprache angemeldete Streitpatent trägt die Bezeichnung „Light emit-ting diode“ („Lichtemittierende Diode“). Sein Schutzanspruch 1 lautet in englischer Verfahrens-sprache:
“A light emitting diode, comprising:
a first conductivity type semiconductor layer (110) formed on a substrate (100);
a mesa disposed on the first conductivity type semiconductor layer (110), the mesa comprising an active layer (120) and a second conductivity type semiconductor layer (130);
a reflective electrode (140) disposed on the mesa and configured to be in ohmic-con-tact with the second conductivity type semiconductor layer (130);
a current spreading layer (210) disposed on the mesa and the reflective electrode (140), the current spreading layer (210) comprising a first portion configured to be in ohmic-contact with an upper surface of an end portion of the first conductivity type semiconductor layer (110);
a lower insulating layer (200) disposed between the mesa and the current spreading layer (210) as well as the reflective electrode (140) and the current spreading layer (210), the lower insulating layer (200) configured to insulate the current spreading layer (210) from the mesa and the reflective electrode (140);
and an upper insulating layer (220) covering the current spreading layer (210), the up¬per insulating layer (220) comprising a first hole exposing a second portion of the current spreading layer (210) that is disposed on an upper portion of the mesa;

characterized in that the first conductivity type semiconductor layer is exposed in mesa-etched areas (150) through the lower insulation layer (200) including at an edge of the substrate (100).”
In der eingetragenen deutschen Übersetzung ist Patentanspruch 1 wie folgt formuliert: „Leuchtdiode, umfassend:
eine Halbleiterschicht (110) eines ersten Leitfähigkeitstyps, die auf einem Substrat (100) ausgebildet ist;
eine Mesa, die auf der Halbleiterschicht (110) des ersten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist, wobei die Mesa eine aktive Schicht (120) und eine Halbleiterschicht (130) eines zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst;
eine reflektierende Elektrode (140), die auf der Mesa angeordnet und so eingerichtet ist, dass sie in ohmschem Kontakt mit der Halbleiterschicht (130) des zweiten Leitfä-higkeitstyps steht;
eine Stromausbreitungsschicht (210), die auf der Mesa und der reflektierenden Elekt-rode (140) angeordnet ist, wobei die Stromausbreitungsschicht (210) einen ersten Ab-schnitt umfasst, der so eingerichtet ist, dass er in ohmschem Kontakt mit einer Ober-seite eines Endabschnitts der Halbleiterschicht (110) des ersten Leitfähigkeitstyps steht;
eine untere Isolierschicht (200), die zwischen der Mesa und der Stromausbreitungs-schicht (210) sowie der reflektierenden Elektrode (140) und der Stromausbreitungs-schicht (210) angeordnet ist, wobei die untere Isolierschicht (200) so eingerichtet ist, dass sie die Stromausbreitungsschicht (210) von der Mesa und der reflektierenden Elektrode (140) isoliert; und
eine obere Isolierschicht (220), welche die Stromausbreitungsschicht (210) bedeckt, wobei die obere Isolierschicht (220) ein erstes Loch umfasst, das einen zweiten Ab-schnitt der Stromausbreitungsschicht (210) freilegt, der auf einem oberen Abschnitt der Mesa angeordnet ist;
dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps in Mesageätzten Bereichen (150) durch die untere Isolierschicht (200) hindurch, ein-schließlich an einem Rand des Substrats (100), frei liegt.“
Hinsichtlich der Formulierung der lediglich im Rahmen von „insbesondere, wenn“-Anträgen for-mulierten Hilfsanträge wird auf die Klageschrift Bezug genommen.
Die nachfolgend eingeblendete Figur 10 ist der Streitpatentschrift entnommen:


Zu sehen ist ein Substrat (21), auf dem eine erste leitfähige Halbleiterschicht (23) gebildet ist. Auf der ersten Halbleiterschicht ist eine Pluralität von Mesas M gebildet, die voneinander getrennt sind. Jede der Mesas M enthält eine aktive Schicht (25) und eine zweite leitfähige Halbleiterschicht (27). Die aktive Schicht (25) ist zwischen der ersten leitfähigen Halbleiterschicht (23) und der zwei-ten leitfähigen Halbleiterschicht (27) angeordnet. Darüber hinaus finden sich auf der Pluralität der Mesas M jeweils reflektierende Elektroden (30). Jede der reflektierenden Elektroden (30) verfügt über eine reflektierende Schicht (28) und eine Sperrschicht (29). Die untere Isolierschicht (31) be-deckt die Pluralität der Mesas M und die erste Halbleiterschicht (23) und weist untere Öffnungen (31a, 31b) auf, die in bestimmten Bereichen eine elektrische Verbindung mit der ersten leitfähigen Halbleiterschicht (23) und der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht (27) ermöglichen. Auf der un-teren Isolierschicht (31) ist eine Stromverteilungsschicht (33) ausgebildet, welche die Pluralität der Mesas M und die erste Halbleiterschicht (23) bedeckt. Auf der Stromverteilungsschicht (33) ist eine obere Isolierschicht (35) ausgebildet, auf der sich wiederum ein erstes Pad (37a) und ein zweites Pad (37b) finden (vgl. Streitpatent, Abs. [0070] - [0086]).
Die Beklagte zu 1) ist Teil der expert Handelsverbundgruppe für Consumer Electronics, Informati-onstechnologie, Telekommunikation, Entertainment und Elektrohausgeräte. Sie verantwortet in diesem Gefüge insbesondere den Online-Auftritt sowie die e-Commerce Aktivitäten der expert Un-ternehmensgruppe in Deutschland. Die Beklagte zu 2) ist nicht gesellschaftsrechtlich mit der Be-klagten zu 1) und ihrer Unternehmensgruppe verbunden, sondern betreibt selbständig 25 Fach-märkte als Teil der „Expert Fachhandels-Kooperation“.
Der Online-Vertrieb findet durch beide Beklagten gemeinsam statt. Bei Aufruf der Webseite www.expert.de wird der Nutzer aufgefordert, auf Grundlage seines Standortes einen passenden Fachmarkt im expert-Netzwerk auszuwählen. Eine entsprechende Auswahl führt zu einer Internet-seite, die der Beklagten zu 2) zuzuordnen ist. Ausweislich des rechtlichen Hinweises auf dieser In-ternetseite und der Hinweise im Impressum der Internetseite ist die Beklagte zu 1) als „Serviceabwickler“ für den Vertrieb über die Internetseite zuständig. Auch im weiteren Prozess der Abwick-lung von Bestellungen über die Internetseite sind die Beklagten eng verwoben. So ist auf der ent-sprechenden Bestellbestätigung, der Rechnung und den Lieferscheinen jeweils die Beklagte zu 1) im Zusammenhang mit der Beklagten zu 2) angeben. Die Beklagte zu 1) tritt dabei als Vertragspart-nerin auf. Der Versand erfolgt jedoch durch die Beklagte zu 1).
Zu den von den Beklagten vertriebenen Produkten gehört das Smartphone „SMART.5 32 GB“ des Herstellers Emporia. In diesen Geräten ist jeweils auf der Rückseite im Zusammenhang mit dem Kamera-Modul eine LED-Lampe verbaut:

Diese LED-Lampe enthält jeweils einen, aus der nachfolgenden Abbildung ersichtlichen LED-Chip, der auf einer Platine aufgebracht ist (nachfolgend: angegriffene Ausführungsform):

Die durch die Klägerin gefertigten mikroskopischen Aufnahmen der angegriffenen Ausführungs-form zeigen die angegriffene Ausführungsform in Detailaufnahmen:


Die Klägerin stützt ihre Verletzungsklage auf eine unmittelbare Verletzung von Patentanspruch 1 des Streitpatents.
Auf eine durch die Beklagte zu 2) erhobene und auf eine unzulässige Erweiterung, fehlende Neu-heit sowie das Fehlen der erfinderischen Tätigkeit gestützte Nichtigkeitswiderklage hat die Klägerin am 23. März 2024 einen Antrag auf Änderung des Patents (App_12619/2024) gestellt, mit welchem sie insgesamt 7 Hilfsanträge in das Verfahren eingeführte.
Mit Schriftsatz vom 27. Juni 2024 hat die Klägerin darüber hinaus einen Antrag nach R. 30.2 VerfO (App_37319/2024) gestellt, mit welchem die bisherigen Hilfsanträge um drei weitere Hilfsanträge ergänzt werden sollen.
Ihren Antrag auf Zulassung der weiteren Hilfsanträge begründete die Klägerin damit, die Beklagte zu 2) habe in der Replik zur Nichtigkeitswiderklage erstmals vorgetragen, in der D 3 sei bereits eine, die gesamte Oberfläche des Substrats bedeckende Stromausbreitungsschicht im Sinne der Ein-schränkung D verwirklicht, obwohl dort tatsächlich keine geschlossene Schicht, sondern eine Git-terstruktur offenbart sei, die erkennbar große Teile der Chipoberfläche freilasse. Die Klägerin ver-stehe diese Argumentation so, dass nach Meinung der Beklagten zu 2) die Gitterstruktur der D 3 gleichsam „als Ganzes“ als Stromausbreitungsschicht aufgefasst werde, die sich über die gesamte Chipoberfläche erstrecke. Diese Argumentation sei für die Klägerin nicht vorhersehbar gewesen. Andererseits trage die Beklagte zu 2) vor, aus der Angabe „im Wesentlichen“ in der Einschränkung D resultiere eine Unklarheit. Auch dieser Einwand komme für die Klägerin überraschend, weil die Klarheit eindeutig gegeben sei.
Den Argumenten der Beklagten trete die Klägerin entgegen. Dennoch sei es höchst vorsorglich ge-boten, eine gegenüber der bisherigen Einschränkung D geringfügig modifizierte Fassung der Ein-schränkung D‘ zu beantragen, die den Einwänden der Beklagten zu 2) im Hinblick auf die Klarheit die Grundlage entziehe.
Mit einer Verfahrensanordnung vom 1. Juli 2024 hat der Berichterstatter mitgeteilt, für eine Zulas-sung des weiteren Änderungsantrages bestehe derzeit keine Veranlassung (Hervorhebung hinzu-gefügt).
Im Hinblick auf diese Verfahrensanordnung hat die Klägerin mit Schriftsatz vom 15. Juli 2024 einen Antrag auf Überprüfung dieser Anordnung durch den Spruchkörper nach R. 333.1 VerfO gestellt, woraufhin die Anordnung des Berichterstatters am 5. August 2024 durch den Spruchkörper auf-rechterhalten wurde.
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ANTRÄGE DER PARTEIEN:
Klage:
Die Klägerin beantragt,
I. Die Beklagten werden verurteilt,
1. es zu unterlassen,
Leuchtdioden
auf dem Hoheitsgebiet der Bundesrepublik Deutschland, der Französischen Re-
publik, der Italienischen Republik und des Königreichs der Niederlande
anzubieten, in Verkehr zu bringen, zu gebrauchen und/oder zu den genannten Zwecken einzuführen und/oder zu besitzen,
wenn diese umfassen:
eine Halbleiterschicht (110) eines ersten Leitfähigkeitstyps, die auf einem Sub-strat (100) ausgebildet ist;
eine Mesa, die auf der Halbleiterschicht (110) des ersten Leitfähigkeitstyps ange-ordnet ist, wobei die Mesa eine aktive Schicht (120) und eine Halbleiterschicht (130) eines zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst;
eine reflektierende Elektrode (140), die auf der Mesa angeordnet und so einge-richtet ist, dass sie in ohmschem Kontakt mit der Halbleiterschicht (130) des zwei-ten Leitfähigkeitstyps steht;
eine Stromausbreitungsschicht (210), die auf der Mesa und der reflektierenden Elektrode (140) angeordnet ist, wobei die Stromausbreitungsschicht (210) einen ersten Abschnitt umfasst, der so eingerichtet ist, dass er in ohmschem Kontakt mit einer Oberseite eines Endabschnitts der Halbleiterschicht (110) des ersten Leitfähigkeitstyps steht;
eine untere Isolierschicht (200), die zwischen der Mesa und der Stromausbrei-tungsschicht (210) sowie der reflektierenden Elektrode (140) und der Stromaus-breitungsschicht (210) angeordnet ist, wobei die untere Isolierschicht (200) so eingerichtet ist, dass sie die Stromausbreitungsschicht (210) von der Mesa und der reflektierenden Elektrode (140) isoliert; und
eine obere Isolierschicht (220), welche die Stromausbreitungsschicht (210) be deckt, wobei die obere Isolierschicht (220) ein erstes Loch umfasst, das einen zweiten Abschnitt der Stromausbreitungsschicht (210) freilegt, der auf einem oberen Abschnitt der Mesa angeordnet ist;
und dadurch gekennzeichnet ist, dass die Halbleiterschicht des ersten Leitfähi-keitstyps in Mesageätzten Bereichen (150) durch die untere Isolierschicht (200) hindurch, einschließlich an einem Rand des Substrats (100), frei liegt;
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2. im Falle einer Zuwiderhandlung gegen die Anordnung nach Ziffer I. 1. an das Ge-richt für jeden Fall der Zuwiderhandlung ein Zwangsgeld bis zu EUR 250.000,- zu zahlen;
3. innerhalb eines Zeitraums von 30 Tagen nach der Zustellung der Mitteilung im Sinne von R. 118.8 S. 1 VerfO und gegebenenfalls der beglaubigten Übersetzung die seit dem 23. Juli 2023 ausgelieferten Erzeugnisse nach Ziffer I. 1 auf Kosten der Beklagten
a. aus den Vertriebswegen zurückzurufen, indem die Dritten, von denen die verletzenden Erzeugnisse zurückzurufen sind, darauf hingewiesen werden, dass dieses Gericht festgestellt hat, dass die Erzeugnisse das Europäische Patent EP 3 223 320 B1 verletzen, wobei die Beklagten den Dritten ver-bindlich zuzusagen haben, die entstandenen Kosten zu erstatten, die anfal-lenden Verpackungs- und Transportkosten zu übernehmen, die mit der Rücksendung der Produkte verbundenen Zoll- und Lagerkosten zu erstat-ten und die Produkte wieder entgegenzunehmen,
und
b. endgültig aus den Vertriebswegen zu entfernen indem die Beklagten un-ter Hinweis, dass dieses Gericht festgestellt hat, dass die Erzeugnisse das Europäische Patent 3 223 320 B1 verletzen, Dritte, die gewerbliche Abneh-mer, aber nicht Endabnehmer sind, hinsichtlich der unter Ziffer I.1 genann-ten Erzeugnisse, auffordern, sämtliche Aufträge betreffend die in Ziffer I.1 genannten Erzeugnisse zu stornieren und dem Gericht und der Klägerin in-nerhalb des genannten Zeitraums von 30 Tagen nach der Zustellung der Mitteilung i.S.v. R. 118.8 S. 1 VerfO und gegebenenfalls der beglaubigten Übersetzung einen schriftlichen Nachweis über die durchgeführte Maß-nahme vorzulegen;
4. der Klägerin Auskünfte zu erteilen über
a. Ursprung und Vertriebswege der seit dem 21. Juli 2023 ausgelieferten, er-haltenen oder bestellten Erzeugnisse nach Ziffer I. 1,
b. die seit dem 21. Juli 2023 ausgelieferten, erhaltenen oder bestellten Men-gen und die Preise, die für die Erzeugnisse nach Ziffer I. 1 gezahlt wurden, und
c. die Identität aller an der Herstellung oder dem Vertrieb von Erzeugnisse nach Ziffer I. 1 seit dem 21. Juli 2023 beteiligten dritten Personen;
5. innerhalb eines Zeitraums von 30 Tagen nach der Zustellung der Mitteilung i.S.v. R. 118.8 S. 1 VerfO und gegebenenfalls der beglaubigten Übersetzung die in ih-rem unmittelbaren oder mittelbaren Besitz oder in ihrem Eigentum befindlichen Erzeugnisse nach Ziffer A.I.1 auf Kosten der Beklagten zu vernichten.

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II. die Beklagten zu verpflichten, der Klägerin allen Schaden zu ersetzen, der ihr durch die in Ziffer I.1 bezeichneten Handlungen während der Laufzeit von EP 3 223 320 B1 ent-standen ist und noch entstehen wird.
III. die Verurteilung nach Ziffern I. und II. für sofort wirksam und vollstreckbar zu erklären;
IV. den Beklagten die Kosten des Verfahrens aufzuerlegen.
Hinsichtlich der Formulierung der „insbesondere, wenn“-Anträge wird auf die Klageschrift Bezug genommen.
Die Beklagten beantragen,
1. die Klage der Klägerin abzuweisen;
2. der Klägerin die Kosten des Rechtsstreits aufzuerlegen.
Widerklage und Änderungsanträge:
Die Beklagte zu 2) beantragt,
1. das EP 3 223 320 im Umfang der Ansprüche 1, 3, 4, 5 und 6 mit Wirkung für Deutsch-land, Frankreich, Italien und den Niederlanden für nichtig zu erklären;
2. der Klägerin die Kosten des Rechtsstreits aufzuerlegen.
Die Klägerin beantragt,
die Widerklage auf Nichtigerklärung abzuweisen.
Hinsichtlich der Formulierung der Änderungsanträge wird auf den Schriftsatz vom 25. März 2024 nebst Anlagen verwiesen.
In Bezug auf die Formulierung der nach R. 30.2. VerfO gestellten, aber bisher nicht zugelassenen weiteren Hilfsanträge wird auf den Schriftsatz vom 27. Juni 2024 (App_37320/2024) Bezug genom-men.
TATSÄCHLICHE UND RECHTLICHE STREITPUNKTE:
Verletzung:
Nach Auffassung der Klägerin gestaltet sich der Aufbau der angegriffenen Ausführungsform wie folgt:


Die nachfolgend eingeblendete Abbildung gibt den Schichtaufbau der angegriffenen Ausfüh-rungsform aus Sicht der Klägerin in einer schematischen Darstellung wieder:

Dies vorausgeschickt stellen die Beklagten eine Verletzung mit der Begründung in Abrede, erfin-dungsgemäß müsse die Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps an einem Rand des Sub-

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strats freiliegen. Es reiche daher nicht, wenn die Öffnungsbereiche in der Nähe des Randes ange-ordnet seien. Bei der angegriffenen Ausführungsform seien die Öffnungsbereiche demgegenüber von einem nicht freigelegten Bereich umgeben, der sich dann bis zum Rand des Substrats erstre-cke. Daher befänden sich die Öffnungen nicht wie von Patentanspruch 1 gefordert „an einem Rand des Substrats.“
Unter Zugrundelegung des durch die Klägerin im Rahmen der Nichtigkeitswiderklage zugrunde ge-legten Verständnisses fehle es weiterhin an einer Stromausbreitungsschicht. Verlange man, wie die Klägerin im Zusammenhang mit der Entgegenhaltung D 3 (US 2005/0067624 A1) geäußert habe, insoweit eine „vollständige Schicht“, sei eine solche bei der angegriffenen Ausführungsform nicht vorhanden. Dort fänden sich einzelne schmale Stege, welche dann mit einer größeren Fläche verbunden seien. Die seitlichen schmalen Stege würden zu einer erheblichen Inhomogenität der Stromverteilung führen und damit einen unsymmetrischen Stromfluss herbeiführen.
Des Weiteren solle die Stromausbreitungsschicht erfindungsgemäß auf der Mesa und der reflek-tierenden Elektrode angeordnet sein. Wie die vorstehend eingeblendete Abbildung verdeutliche, befinde sich die dort eingezeichnete blaue Stromausbreitungsschicht nicht auf der Mesa. Vielmehr lasse sie den Bereich der Mesa frei.
Die Klägerin ist diesem Vorbringen entgegengetreten.
Mit ihrer Forderung nach einer Anordnung der Öffnungen ausschließlich am äußersten Rand setz-ten sich die Beklagten in Widerspruch zum Vorbringen der Beklagten zu 2) im Rahmen der Nichtig-keitswiderklage. Dort definiere die Beklagte zu 2) selbst den Rand als den nicht-mittigen Bereich der LED und stelle dies einem „äußersten Rand“ gegenüber. Der Begriff „Rand“ sei mit dem Begriff „Endabschnitt“ zu verstehen. Es gehe darum, den Randbereich bzw. Endabschnitt der LED von dem mittleren Bereich der LED abzugrenzen, in welchem sich die Mesa befinde. Die Kontaktierung solle im Randbereich bzw. Endabschnitt erfolgen, um die vom Streitpatent gewünschten Verbesserun-gen im Stromfluss zu erreichen. Die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps solle durch die untere Isolierschicht dort freiliegen, wo die Kontaktierung durch die Stromausbreitungsschicht er-folgen solle. Um die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps in einem Endabschnitt zu kon-taktieren, müssten die mesageätzten Bereiche durch die untere Isolierschicht hindurch an einem Rand des Substrats freiliegen. Die Position des freiliegenden Bereichs sei daher auf die Form der Stromverteilungsschicht abgestimmt.
Eine engere Auslegung des Begriffes „am Rand“ ließe sich auch nicht technisch begründen. Die Ausgestaltung habe ausdrücklich den Zweck, eine verbesserte Stromverteilung in der LED zu er-möglichen. Dazu werde eine elektrische Kontaktierung mit der Halbleiterschicht des ersten Leitfä-higkeitstyps außerhalb der Mesa hergestellt, so dass der Strom nicht aus der Mitte des Chips in die Randbereiche der Mesa und damit der aktiven Schicht fließen müsse, sondern von außen nach innen fließen könne. Entscheidend sei dabei, dass die Kontaktierung außerhalb der Mesa erfolge, also zwischen der Mesa und dem äußersten Rand des Substrats. Technisch spiele es dagegen keine Rolle, ob die äußerste Kante der Halbleiterschicht isoliert sei und die Kontaktierung zwischen Mesa und Isolierung liege, oder ob die Kontaktierung bis zur äußersten Kante der Halbleiterschicht rei-che. Bei beiden Gestaltungen erfolge der Stromfluss von außen in die Mesa. Dort werde das Licht erzeugt. Dieser Stromfluss sei maßgeblich. Darüber hinaus wäre eine Kontaktierung am äußersten Rand sogar technisch nachteilig. Dies würde die Länge des Weges, den der Strom fließen müsse, und damit auch den elektrischen Widerstand erhöhen, ohne gleichzeitig einen Vorteil zu bieten. Ein zweiter Nachteil liege darin, dass eine elektrisch leitende Metallschicht an der Seite des LED-Chips freiliegen würde. Dadurch entstünde ein Kurzschlussrisiko, was zu Defekten und Schäden am Chip oder anderen Bauteilen führen könnte, wenn der freiliegende Bereich ungewollt kontaktiert
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werde. Ein dritter Nachteil läge im Fertigungsverfahren. Die freiliegende Metallseite führe zu Schwierigkeiten beim Schneiden der LED-Chips in der Fertigung („chip dicing“). Dabei würden die zusammenhängend hergestellten Chips manuell geschnitten. Dies funktioniere deutlich besser, wenn die Schnittstelle aus dem Substrat und Isolierschichten bestehe, als bei Metallkanten.
Mit ihren Einwänden zur Stromausbreitungsschicht verzerrten die Beklagten nach Meinung der Klägerin ihr Vorbringen im Nichtigkeitsverfahren. Wenn in der Erwiderung zur Nichtigkeitswider-klage die Rede davon sei, dass die Stromausbreitungsschicht ein flächiges Gebilde sein müsse, sei dies im Kontext der Abgrenzung von der D 3 zu lesen. Diese enthalte eine flächige Struktur beste-hend aus Stegen und schmalen Bereichen, die keine Schicht im Sinne des Streitpatents darstelle (links: Figur 5 der D 3: rechts: angegriffene Ausführungsform):

Widerklage:
Nach Auffassung der Beklagten zu 2) geht der Gegenstand von Patentanspruch 1 des Streitpatents über den Inhalt der ursprünglichen Anmeldung hinaus und beruhe daher auf einer unzulässigen Erweiterung. Patentanspruch 1 verlange das Vorhandensein einer einzigen Mesa. Derartige Gestal-tungen mit nur einer Mesa seien in der ursprünglichen Patentanmeldung nicht offenbart. Dort seien lediglich Ausgestaltungen mit einer Mehrzahl von Mesas gezeigt.
Überdies nehme die US 2005/0067624 A1(D 3) Patentanspruch 1 des Streitpatents neuheitsschäd-lich vorweg. Dies gelte insbesondere auch im Hinblick auf die Forderung nach einem Freiliegen der ersten Halbleiterschichten an einem Rand des Substrats. Nicht gemeint sei in diesem Zusammen-hang, dass sich die Randbereiche „am äußersten Rand“ befinden müssten und somit nicht mehr von der unteren Isolierschicht umgeben sein dürften. Davon ausgehend befänden jedenfalls einige der in der nachfolgend eingeblendeten Figur 5 der Entgegenhaltung gezeigten mesageätzten Be-reiche im Randbereich:

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Darüber hinaus fehle es auch auf der Grundlage der US 2010/0117111 A1 (D 1) an der Neuheit. Sollte das Gericht der Auffassung sein, dass die Entgegenhaltung keine Öffnungen im Randbereich offenbare, folge daraus zunächst, dass in diesem Fall auch eine Verletzung des Streitpatents nicht bejaht werden könne. Die angegriffene Ausführungsform unterscheide sich nicht von der D 1. Je-denfalls sei eine solche Ausgestaltung der Isolierschicht in der D 3 offenbart. Ausgehend von der D 1 liege die Aufgabe der Erfindung darin, die Stromausbreitung in der Halbleiterschicht zu verbes-sern. Auf Grundlage der Entgegenhaltung D 1 sei der Fachmann veranlasst, die Erläuterungen und Offenbarungen der D 3 heranzuziehen. Dort werde die vorgenannte Aufgabe ausdrücklich thema-tisiert. Zur Lösung schlage die Entgegenhaltung zum Beispiel in der Ausgestaltung der Figuren 3, 5 und 5 vor, dass eine Mehrzahl von Kontakten angeordnet werde, die verteilt über die LED ange-ordnet seien, also auch in den Randbereichen des Substrats. Gleiches gelte für die Ausgestaltung gemäß der Figuren 14 und 15, wo ein durchgängiger Randbereich vorgesehen sei, der den Rand des Substrats vollumfänglich für die Kontaktierung nutze.
Darüber hinaus sei das Prinzip, insbesondere bei großflächigen Mesa-LEDs die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps am Rand des Substrats zu kontaktieren, auch aus der US 6 486 499 B1 (D 6) bekannt.
Schließlich fehle es auch ausgehend von der US 2009/0283787 A1 (D 2) an der erfinderischen Tä-tigkeit. Figur 3 dieser Entgegenhaltung nehme nahezu sämtliche Merkmale vorweg. Es fehle nur an einer reflektierenden Elektrode sowie an Öffnungen der unteren Isolierschicht, die am Rand des Substrats angeordnet seien. Eine solche Elektrode werde jedoch in Figur 2 der Entgegenhaltung offenbart. Die Kombination der reflektierenden Elektrode mit den weiteren in dem Ausführungs-beispiel gemäß Figur 2 offenbarten Schichten mit der in Figur 3 offenbarten Ausgestaltung sei schon deshalb naheliegend, weil beide Ausführungsbeispiele in der D 2 offenbart seien. Vor diesem Hintergrund könnten für den Fachmann naheliegend bestimmte Ausführungsvarianten der einzel-nen Gestaltungen der LED miteinander kombiniert werden.
Soweit zusätzlich das Thema des Freiliegens der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps am Rand des Substrats im Raum stehe, zeige die D 3 eine entsprechende Ausgestaltung, sowohl in dem Ausführungsbeispiel gemäß den Figuren 2, 3, 5 und 6 sowie dem Ausführungsbeispiel gemäß Figu-ren 14 und 15. Insofern handele es sich um eine eigenständige Frage, welche sich für den Fach-mann stelle. Davon ausgehend gehe es darum, die Stromverteilung zu verbessern, indem eine Stromkontaktierung auch am Rand vorgesehen werde. Mit dem weitergehenden Aufbau der LED habe dies nicht unmittelbar zu tun. Es könne somit eigenständig vom Fachmann ergänzt werden,
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ohne dass weitergehende Nachteile oder Schwierigkeiten bei der Kombination verknüpft würden. Die Klägerin ist dem entgegengetreten.
Der Einwand der unzulässigen Erweiterung sei bereits im Erteilungsverfahren erhoben, jedoch durch die Anmelderin ausgeräumt worden. Eine Mesa sei im allgemeinen Sprachgebrauch eine Erhebung mit einer ebenen Oberfläche und einer (mehr oder weniger) steilen Flanke. Im Bereich der LED-Technologie werde unter eine Mesa eine Struktur oder Topographie in Form einer erha-benen Fläche oder eines Plateaus auf der Oberfläche eines Halbleitermaterials verstanden, die durch Ätzverfahren geformt werde. Davon ausgehend zeige die ursprüngliche Anmeldung in den Figuren 24 bis 26 ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem nur eine Mesa auf dem LED-Chip vor-handen sei. Der dort dargestellte LED-Chip weise nur ein einziges Plateau auf, in das durch Ätzen mehrere lochförmige Vertiefungen in einem Rechteckmuster eingebracht seien. Durch die Vertie-fungen werde die erste Halbleiterschicht jeweils freigelegt. Damit sei eine einzelne Mesa ebenfalls Teil der Offenbarung der ursprünglichen Anmeldung.
Soweit sich die Beklagte zu 2) im Rahmen der Erörterung der Neuheit und der erfinderischen Tä-tigkeit auf die D 3 beziehe, beschreibe diese in den Figuren 5 bis 7 sowie 14 und 15 zwei unter-schiedliche Ausführungsbeispiele, die sowohl bei der Erörterung der Neuheit als auch der erfinde-rischen Tätigkeit getrennt zu behandeln seien. In beiden Ausführungsbeispielen sei eine Vielzahl von Merkmalen nicht offenbart, weshalb der Gegenstand des Anspruchs 1 des Streitpatents aus-gehend von beiden Ausführungsbeispielen neu sei. Im Hinblick auf die erfinderische Tätigkeit stelle die Gesamtoffenbarung der D 3 die Realisierung der Stromverteilung durch das Gitter der dünnen Verbindungsleitungen (15a, 15b) in den Vordergrund. Es sei nichts ersichtlich, was den Fachmann dazu veranlassen könnte, stattdessen eine die Mesa-Bereiche bedeckende Stromausbreitungs-schicht vorzusehen. Überdies könnten beide Ausführungsbeispiele der D 3 auch nicht miteinander kombiniert werden. Während es sich bei dem ersten Ausführungsbeispiel um eine LED handele, bei der die Maximierung der aktiven Fläche im Fokus stehe („large junction device“), betreffe das zweite Ausführungsbeispiel ein „small injunction device“, bei dem eine kleine aktive Fläche ge-wünscht sei.
Die Entgegenhaltung D 1 sei im Erteilungsverfahren bereits diskutiert worden. Die Erteilung des Streitpatents basiere auf der Feststellung der Prüfungsabteilung des Europäischen Patentamtes (EPA), dass die D 1 den Gegenstand des Streitpatents gerade nicht vorwegnehme. Insbesondere habe es das EPA als neuheitsbegründend angesehen, dass dort die Kontaktierung in den Öffnungen (11) innerhalb des Mesa-Bereichs und damit nicht am Rand des Substrats erfolge. Der Gegenstand des Streitpatents werde durch die D 1 auch nicht nahegelegt. Dies gelte auch in Kombination mit den Entgegenhaltungen D 3 und D 6. Mit dem in der D 1 offenbarten Design sei es überhaupt nicht möglich, einen elektrischen Kontakt der n-Schicht (6) am Rand des Substrats herzustellen. Der Fachmann würde nicht in Betracht ziehen, bei dem LED-Design der D 1 eine Kontaktierung einer am Rand des Substrats freiliegenden n-Schicht in einem Endbereich der n-Schicht vorzusehen. Ge-gen eine Kombination mit dem zweiten Ausführungsbeispiel der D 3 spreche außerdem, dass es in der D 1 um die Effizienzsteigerung bei einer LED gehe, d.h. darum, die emittierte Lichtmenge zu maximieren. Zur Stromverteilung setze die D 1 prinzipiell auf die gleichen Maßnahmen wie das erste Ausführungsbeispiel der D 3, d.h. ein Raster aus miteinander verbundenen Ausnehmun-gen/Vias, um die n-Schicht an einer Mehrzahl von über der Chip-Oberfläche verteilten Kontaktstel-len mit Strom versorgen zu können. Genau diese Maßnahmen würden auch in dem ersten Ausfüh-rungsbeispiel der D 3 zur Verbesserung der Stromverteilung vorgeschlagen. Es sei daher kein An-lass erkennbar, warum der Fachmann hiervon abweichen sollte. Insbesondere würde der Fach-mann auch nicht in Betracht ziehen, einen Kontaktring der n-Schicht wie bei dem zweiten Ausfüh-rungsbeispiel der D 3 vorzusehen. Ebenso wenig werde der Fachmann die „Finger“ der D 6 zur
15

Anwendung bei dem LED-Design der D 1 überhaupt in Betracht ziehen.
Die D 2 sei bereits im Erteilungsverfahren berücksichtigt und nicht als patenthindernd bewertet worden. Abgesehen davon habe der Fachmann weder Anlass, die in den Figuren 2 und 3 der D 2 gezeigten Ausführungsbeispiele, noch die D 2 mit der D 3 zu kombinieren.
Im Hinblick auf das weitere Vorbringen der Parteien wird auf den gesamten Akteninhalt Bezug genommen.
ENTSCHEIDUNGSGRÜNDE:
Die Nichtigkeitswiderklage ist zulässig und begründet.
Die zulässige Klage hat in der Sache keinen Erfolg.
A. Zulässigkeit der Klage und der Nichtigkeitswiderklage
Sowohl die Klage als auch die Nichtigkeitswiderklage sind zulässig.
I.
Nachdem die Beklagten innerhalb der Einspruchsfrist keinen Einspruch eingelegt haben, gelten so-wohl die Zuständigkeit des Einheitlichen Patentgerichts als auch die Zuständigkeit der Lokalkam-mer Düsseldorf als anerkannt, R. 19.7 VerfO.
II.
Hinsichtlich der Zulässigkeit der Widerklage bestehen keine Bedenken.
1.
Insbesondere ist das Einheitliche Patentgericht (EPG) auch international zuständig. Gemäß Art. 32 Abs. 1 (e) EPGÜ ist das EPG für Widerklagen auf Nichtigkeit von (europäischen) Patenten aus-schließlich zuständig. Da derzeit kein Opt-Out (Art. 83 Abs. 3 EPGÜ) von der ausschließlichen Zu-ständigkeit des Gerichts in Bezug auf das Streitpatent in Kraft ist, ist das EPG – als gemeinsames Gericht der Mitgliedstaaten des EPGÜ – gemäß Art. 24 Abs. 4, 71a Abs. 2 a), 71b Abs. 1 der Verord-nung (EU) Nr. 1215/2012 für die vorliegende Widerklage international zuständig.
2.
Dass die Nichtigkeitswiderklage ausdrücklich allein durch die Beklagte zu 2), nicht aber durch die
Beklagte zu 1) erhoben wurde, steht ihrer Zulässigkeit nicht entgegen.
Grundsätzlich hat der Kläger bei mehreren Beklagten die Wahl, ob er die Beklagten jeweils einzeln verklagt oder ob er eine Klage erhebt, die sich gegen mehrere Beklagte richtet. Entscheidet sich der Kläger für Letzteres, kann das Gericht gemäß R. 303.3 VerfO eine Verfahrenstrennung anord-nen. Für den Fall einer getrennten Klageerhebung kann das Gericht die Verfahren nach R. 340 VerfO verbinden (vgl. Bopp/Kircher, Handbuch Europäischer Patentprozess, 2. Aufl., § 12 Rz. 211).
Daraus folgt, dass die Klagen gegen die einzelnen Beklagten jeweils selbstständig zu behandeln sind (vgl. Tilmann/Plassmann/Dorn, Einheitspatent, Einheitliches Patentgericht, EPGVerfO § 303 Rz. 15). Jeder Beklagte führt seinen eigenen Prozess formell und inhaltlich unabhängig von den anderen, ohne dass die jeweiligen Handlungen des einen Beklagten Vor- oder Nachteile für den anderen Beklagten bewirken (vgl. Luginbühl/Hüttermann, Einheitspatentsystem, Regel 303 Rz. 26). Verlangt daher R. 25.1 VerfO die Erhebung einer Widerklage auf Nichtigerklärung des Patents, so-fern die Klageerwiderung die Behauptung umfasst, dass das angeblich verletzte Patent ungültig ist,

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gilt dies für jeden Beklagten gesondert. Dies schließt die gemeinsame Erhebung einer Nichtigkeits-widerklage durch mehrere Beklagte nicht aus.
Auf den vorliegenden Fall gewendet folgt daraus, dass die Beklagte zu 2) der ihr obliegenden Ver-pflichtung zur Erhebung einer Nichtigkeitswiderklage nachgekommen ist. Dass die Beklagte zu 1) auf die Erhebung einer Nichtigkeitswiderklage verzichtet hat, hat auf die Zulässigkeit der Nichtig-keitswiderklage der Beklagten zu 2) keinen Einfluss.
Umgekehrt folgt aus dem Vorstehenden aber auch, dass die Beklagte zu 1) keine Nichtigkeitswi-derklage erhoben hat. Für sie ist daher die Rechtsbeständigkeitsargumentation formal ausge-schlossen (vgl. dazu: Luginbühl/Hüttermann, Einheitspatentsystem, R. 25 Rz. 4).
Entscheidet sich das Gericht – wie vorliegend nicht – für eine Trennung der Verfahren gegen beide Beklagte, könnte sich die Beklagte zu 1) daher in ihrem Verfahren nicht mit Erfolg auf den fehlen-den Rechtsbestand berufen. Ohne eine solche Abtrennung wirkt sich die Selbstständigkeit der Pro-zessverhältnisse für die Beklagte zu 1) demgegenüber jedenfalls solange faktisch nicht aus, wie die Kammer von einer Abtrennung der Verfahren absieht. Wird das Streitpatent aufgrund der Nichtig-keitsklage eines Beklagten für nichtig erklärt, fehlt der Verletzungsklage insgesamt bereits die Grundlage.
B. Schutzbereich des Streitpatents
Im Hinblick auf den Schutzbereich des Streitpatents gilt Folgendes:
I.
Das Streitpatent betrifft eine lichtemittierende Diode und insbesondere eine lichtemittierende Di-
ode vom Flip-Chip-Typ mit verbesserter Lichtausbeute.
Wie das Streitpatent einleitend ausführt, werden lichtemittierende Dioden auf Galliumnitridbasis durch Aufwachsen von Epitaxieschichten auf einem Substrat gebildet. Sie umfassen eine Halb-leiterschicht vom n-Typ, eine Halbleiterschicht vom p-Typ und eine dazwischenliegende aktive Schicht. Auf der n-Halbleiterschicht wird ein n-Elektrodenpad und auf der p-Halbleiterschicht wird ein p-Elektrodenpad gebildet. Zum Betrieb wird die lichtemittierende Diode über die Elektroden-pads elektrisch mit einer externen Stromquelle verbunden. Zu diesem Zeitpunkt fließt Strom von dem p-Elektrodenpad zu dem n-Elektrodenpad durch die Halbleiterschicht (Abs. [0003]).
Um die Wärmeleitung zu verbessern und gleichzeitig den Lichtverlust durch das p-Elektrodenpad zu verhindern wird im Stand der Technik eine lichtemittierende Diode mit Flip-Chip-Struktur ver-wendet. Im Stand der Technik (siehe US 6 486 499 B1 = Entgegenhaltung D 6 in der Nichtigkeitswi-derklage) wurden zur Verbesserung der Stromverteilung in großflächig lichtemittierenden Dioden mit dieser Struktur verschiedene Elektrodenstrukturen vorgeschlagen. Beispielswiese wird eine re-flektierende Elektrode auf der Halbleiterschicht vom p-Typ gebildet. Darüber hinaus werden Er-weiterungen für die Stromausbreitung auf einem Bereich der Halbleiterschicht vom n-Typ gebildet, freigelegt durch Ätzen der Halbleiterschicht vom p-Typ und der aktiven Schicht (Abs. [0004]). Dabei kommen lineare Verlängerungen zum Einsatz, welche die Stromverteilung aufgrund ihres hohen Widerstandes einschränken (Abs. [0006]).
Bei aus dem Stand der Technik bekannten Lösungen reflektiert die auf der Halbleiterschicht vom p-Typ gebildete reflektierende Elektrode das in der aktiven Schicht erzeugte Licht, um die Lichtex-traktionseffizienz zu erhöhen, und unterstützt die Stromverteilung in der Halbleiterschicht vom p-Typ (Abs. [0005]). Da eine reflektierende Elektrode nur auf der Halbleiterschicht vom p-Typ ange-ordnet ist, kommt es zu erheblichen Lichtverlusten durch die Pads und die Verlängerungen (Abs.
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[0006]).
LEDs mit einer Flip-Chip-Struktur zeichnen sich dadurch aus, dass Licht durch ein Substrat emittiert wird. Dementsprechend wird nach der Bildung von Halbleiterschichten auf dem Substrat eine me-tallische Reflexionsschicht über den Halbleiterschichten oder eine Stromverteilungsschicht gebil-det, so dass Licht von der Reflexionsschicht reflektiert werden kann (Abs. [0007]).
Die nachfolgend verkleinert eingeblendete, der Streitpatentschrift entnommene und gerichtsseitig eingefärbte Figur 1 ist eine Teilschnittansicht einer lichtemittierenden Diode mit einer reflektie-renden Schicht aus dem Stand der Technik (Abs. [0008]):

Zu sehen sind insbesondere eine Mesa-Schicht (10), eine aus einem leitfähigen Metall oder einem leitfähigen Oxid gebildete ohmsche Schicht (12) sowie eine aus Silber (Ag) oder Aluminium (Al) bestehende Reflexionsschicht (13). Bei der Sperrschicht (14) sind abwechselnd erste, Nickel (Ni) enthaltende Sperrschichten (14a) und zweite, Wolfram (W) oder Wolfram-Titan (TiW) übereinan-dergestapelt. Die Sperrschicht (14) verhindert die Diffusion von Metallelementen, welche die re-flektierende Schicht (13) bilden. Die reflektierende Schicht (13) hat einen höheren Wärmeausdeh-nungskoeffizienten als die Sperrschicht (14). Dies führt zu Spannungen in der reflektierenden Schicht (13). Dementsprechend wird die reflektierende Schicht (13) von der ohmschen Schicht (12) oder der Mesa-Schicht (10) unter der ohmschen Schicht (12) aufgrund er in der reflektierenden Schicht (13) bei gleicher Temperatur erzeugten Spannung getrennt (Abs. [0012]).
Darüber hinaus wurden im Stand der Technik verschiedene Methoden entwickelt, um die Leis-tungsfähigkeit, d.h. die interne und die externe Quanteneffizienz, der lichtemittierenden Diode zu verbessern. So wurde im Stand der Technik eine Technik zur Verbesserung der Lichtextraktionsef-fizienz entwickelt (Abs. [0013]).
Die US 2010/0117111 A1 (= Entgegenhaltung D 1 in der Nichtigkeitswiderklage) beschreibt ein optoelektronisches Bauelement umfassend: einen Halbleiterkörper umfassend ein aktives Gebiet, das zur Erzeugung von Strahlung geeignet ist, und zwei elektrische Kontakte, die auf dem Halb-leiterkörper angeordnet sind, wobei die Kontakte elektrisch leitend mit dem aktiven Gebiet ver-bunden sind und die Kontakte jeweils eine Anschlussfläche aufweisen, die von dem Halbleiterkör-per abgewandt ist, wobei sich die Anschlussflächen auf einer Anschlussseite des Bauelements be-finden, wobei eine von der Anschlussseite verschiedene Seite des Bauelements mit einer Spiegel-beschichtung beschichtet ist, und ein Verfahren zur Herstellung solcher Bauteile (Abs. [0014]).
Darüber hinaus beschreibt die US 2009/02833787 A1 (= Entgegenhaltung D 2 der Nichtigkeitswi-derklage) eine lichtemittierende Diode umfassend: Diodenbereich mit einer ersten und einer zwei-ten Fläche, die sich gegenüberliegen, und der darin eine Schicht vom n-Typ und eine Schicht vom p-Typ enthält; einen Anodenkontakt, der die Schicht vom p-Typ ohmsch kontaktiert und sich auf

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der ersten Fläche erstreckt; eine transparente Isolierschicht, die sich auf der ersten Fläche außer-halb des Anodenkontakts erstreckt; und einen reflektierenden Kathodenkontakt, der die Schicht vom n-Typ elektrisch kontaktiert und der sich durch die transparente Isolierschicht auf die trans-parente Isolierschicht erstreckt, die sich außerhalb des Anodenkontakts befindet, um im Wesent-lichen die gesamte erste Fläche, die sich außerhalb des Anodenkontakts befindet, mit dem reflek-tierenden Kathodenkontakt zu bedecken, und Herstellungsverfahren dafür.
Davon ausgehend liegt dem Streitpatent nach der Streitpatentbeschreibung die Aufgabe (das tech-nische Problem) zugrunde, eine lichtemittierende Diode mit einer verbesserten Stromverteilungs-leistung sowie mit einer verbesserten Lichtextraktionseffizienz durch eine Verbesserung des Refle-xionsvermögens bereitzustellen, die in der Lage ist, die durch eine reflektierende Schicht verur-sachte Spannung zu verringern. Darüber hinaus soll ein Verfahren zur Herstellung einer lichtemit-tierenden Diode bereitgestellt werden, welches die Stromverteilungsleistung verbessern und gleichzeitig einen komplizierten Herstellungsprozess vermeiden kann. Schließlich soll eine Technik zur Verbesserung der Lichtextraktionseffizienz durch Oberflächenstrukturierung mit einem kosten-günstigen und einfachen Verfahren bereitgestellt werden (Abs. [0017] - [0020]).
Zur Lösung dieser Aufgabe stellt Patentanspruch 1 des Streitpatents eine Leuchtdiode unter Schutz, die durch eine Kombination der folgenden Merkmale gekennzeichnet ist:
1. Leuchtdiode, umfassend
1.1. eine Halbleiterschicht (110) eines ersten Leitfähigkeitstyps;
1.2. eine Mesa;
1.3. eine reflektierende Elektrode (140);
1.4. eine Stromausbreitungsschicht (210);
1.5. eine untere Isolierschicht (200);
1.6. eine obere Isolierschicht (220),
2. Die Halbleiterschicht (110) eines ersten Leitfähigkeitstyps
2.1. ist auf einem Substrat (100) ausgebildet;
2.2. liegt in den mesageätzten Bereichen (150) durch die untere Isolierschicht (200)
hindurch, einschließlich an einem Rand des Substrats (100), frei.
3. Die Mesa
3.1. ist auf der Halbleiterschicht (110) des ersten Leitfähigkeitstyps angeordnet;
3.2. umfasst eine aktive Schicht (120) und eine Halbleiterschicht (130) eines zweiten Leitfähigkeitstyps.
4. Die reflektierende Elektrode (140)
4.1. ist auf der Mesa angeordnet
und

19

4.2. so eingerichtet, dass sie in ohmschem Kontakt mit der Halbleiterschicht (130) des zweiten Leitfähigkeitstyps steht.
5. Die Stromausbreitungsschicht (210)
5.1. ist auf der Mesa und der reflektierenden Elektrode (140) angeordnet;
5.2. umfasst einen ersten Abschnitt, der so eingerichtet ist, dass er in ohmschem Kon-takt mit einer Oberseite eines Endabschnitts der Halbleiterschicht (110) des ers-ten Leitfähigkeitstyps steht.
6. Die untere Isolierschicht (200)
6.1. ist zwischen der Mesa und der Stromausbreitungsschicht (210) sowie der reflek-tierenden Elektrode (140) und der Stromausbreitungsschicht (210) angeordnet
und
6.2. so eingerichtet, dass sie die Stromausbreitungsschicht (210) von der Mesa und der reflektierenden Elektrode (140) isoliert.
7. Die obere Isolierschicht (220)
7.1. bedeckt die Stromausbreitungsschicht (210);
7.2. umfasst ein erstes Loch, das einen zweiten Abschnitt der Stromausbreitungs-schicht (210) freilegt, der auf einem oberen Abschnitt der Mesa angeordnet ist.
2.
Einige Merkmale bedürfen der Auslegung.
a)
Gemäß Art. 69 EPÜ i.V.m. dem Protokoll über dessen Auslegung ist der Patentanspruch nicht nur der Ausgangspunkt, sondern die maßgebliche Grundlage für die Bestimmung des Schutzbereichs eines europäischen Patents. Für die Auslegung eines Patentanspruchs kommt es nicht allein auf seinen genauen Wortlaut im sprachlichen Sinne an. Vielmehr sind die Beschreibung und die Zeich-nungen als Erläuterungshilfen für die Auslegung des Patentanspruchs stets mit heranzuziehen und nicht nur zur Behebung etwaiger Unklarheiten im Patentanspruch anzuwenden. Das bedeutet aber nicht, dass der Patentanspruch lediglich als Richtlinie dient und sich sein Gegenstand auch auf das erstreckt, was sich nach Prüfung der Beschreibung und der Zeichnungen als Schutzbegehren des Patentinhabers darstellt (UPC_CoA_335/2023, Anordnung v. 26.02.2023 i.V.m. Anordnung v. 11.03.2024, GRUR-RS 2024, 2829, Leitsatz 2. und Rz. 73 - 77 – 10x Genomics v. NanoString; UPC_COA_182/2024, Anordnung v. 25.09.2024, Rz. 82 – Mammut Sports v. Ortovox Sportartikel; vgl. auch UPC_CFI_7/2024 (LD Düsseldorf), Entscheidung v. 03.07. 2024, ORD_598324/2023 – Franz Kaldewei v. Bette).
b)
Der relevante Fachmann ist nach Auffassung der Lokalkammer ein Diplom-Ingenieur oder Master
der Elektrotechnik oder der Halbleiterphysik mit einem Abschluss an einer Fachhochschule für an-

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gewandte Wissenschaften und mehrjähriger Berufserfahrung in der Entwicklung von lichtemittie-renden Dioden und Verfahren zu deren Herstellung.
c)
Dies vorausgeschickt gilt Folgendes:
aa)
Erfindungsgemäß verfügt die Leuchtdiode über eine Halbleiterschicht (110) eines ersten Leitfähig-keitstyps, die auf einem Substrat ausgebildet ist und die in den mesageätzten Bereichen (150) durch die untere Isolierschicht (200) hindurch, einschließlich an einem Rand des Substrats, freiliegt (Merkmalsgruppe 2.)
(1)
Der Fachmann, der sich der Frage nach der technischen Gestaltung derartiger Bereiche zuwendet, entnimmt Patentanspruch 1, dass es sich um mesageätzte Bereiche (Plural) und damit um mindes-tens zwei handeln muss. Das Vorliegen eines einzelnen solchen Bereichs genügt für die Verwirkli-chung der durch das Streitpatent unter Schutz gestellten technischen Lehre nicht. Des Weiteren werden die mesageätzten Bereiche in Patentanspruch 1 lediglich mittelbar dahingehend beschrie-ben, dass (a) in ihnen die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps freigelegt ist und dass (b) ein solches Freiliegen „einschließlich an einem Rand des Substrats“ vorliegen muss. Weitere Vor-gaben, etwa zur Form oder zur Frage der Überlagerung mesageätzter Bereiche, sucht der Fach-mann in Patentanspruch 1 vergebens.
(2)
Wendet er sich davon ausgehend der Patentbeschreibung zu, richtet sich sein Blick zunächst auf
Abs. [0125], wo es heißt:
“Referring to Figure 14, part of the active layer 120 and part of the second semiconductor layer 130 are removed by typical etching. As a result, the first semiconductor layer 110 is partially exposed. Through the etching process, an upper surface of the first semiconductor layer 110 is exposed, and side surfaces of the active layer 120 and the second semiconductor layer 130 are exposed. As a result, the active layer 120 and the second semiconductor layer 130 are partially removed to form trenches and holes through the etching process. In other words, the mesa-etched areas 150 formed from the surface of the second semiconductor layer 130 [...] to the surface of the first semiconductor layer 110 may be a trench-shaped stripe type or a hole type.”
(Hervorbebung hinzugefügt)
Und in deutscher Fassung (Anlage LL 8a):
„Bezugnehmend auf Figur 14 werden ein Teil der aktiven Schicht 120 und ein Teil der zweiten Halb-leiterschicht 130 durch typisches Ätzen entfernt. Als Ergebnis wird die erste Halbleiterschicht 110 freigelegt. Durch den Ätzvorgang wird eine obere Fläche der ersten Halbleiterschicht 110 freigelegt, und Seitenflächen der aktiven Schicht 120 und der zweiten Halbleiterschicht 130 werden freigelegt. Als Ergebnis werden die aktive Schicht 120 und die zweite Halbleiterschicht 130 teilweise entfernt, um durch den Ätzprozess Gräben und Löcher zu bilden. Mit anderen Worten, die mesa-geätzten Be-reiche 150, die von der Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht 130 [...] bis zur Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 110 gebildet werden, können grabenförmig, streifenförmig oder lochförmig sein.“
(Hervorhebung hinzugefügt)
Auch wenn es sich bei Figur 14 nebst der zugehörigen Beschreibung um ein Ausführungsbeispiel

21

handelt, auf welches die Erfindung nicht reduziert werden darf, führt der vorstehend wiedergege-bene Auszug der Streitpatentbeschreibung dem Fachmann vor Augen, weshalb es erfindungsge-mäß mesageätzter Bereiche bedarf: Werden im Rahmen des Ätzvorgangs Teile der aktiven Schicht und der zweiten Halbleiterschicht entfernt, wird in den mesageätzten Bereichen die erste Halb-leiterschicht freigelegt (vgl. auch Abs. [0147], [0165], [0167], [0195] sowie [0004] a.E. und [0072], wobei Letzterer von einer „Strukturierung der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht und der aktiven Schicht spricht). Damit korrespondierend versteht die Streitpatentschrift unter einem „Mesa-Ät-zen“ einen Prozess des teilweisen Ätzens der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht und der aktiven Schicht, um die erste leitfähige Halbleiterschicht freizulegen (Abs. [0230]). Da die erste Halbleiter-schicht zudem in den mesageätzten Bereichen nicht durch die untere Isolierschicht bedeckt ist, wird so eine elektrische Verbindung über die Stromausbreitungsschicht (210) zur Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps ermöglicht.
(3)
Wie der Fachmann der Streitpatentbeschreibung weiter entnimmt, können die mesageätzten Be-reiche graben-, streifen- oder lochförmig ausgestaltet sein (vgl. Abs. [0125] a.E., [0126], [0141], [0144], [0164], [0168]). Nachdem Patentanspruch 1 die Form der mesageätzten Bereiche allerdings unerwähnt lässt und zudem auch nicht ersichtlich ist, dass die mesageätzten Bereiche die ihnen erfindungsgemäß zugewiesene Funktion der Freilegung der ersten Halbleiterschicht nur mit einer bestimmten Form erfüllen können, ist die Gestaltung der Form der mesageätzten Bereiche in das Belieben des Fachmanns gestellt.
(4)
Erfindungsgemäß liegt die Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps in den mesageätzten Bereichen durch die untere Halbleiterschicht hindurch, einschließlich am Rand des Substrats (100), frei (Merkmal 2.2.).
Solange die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps zumindest auch in den genannten Be-reichen freiliegt, führen Öffnungen der unteren Isolierschicht in anderen Bereichen nicht aus dem Schutzbereich des Streitpatents heraus. Ein ausschließliches Freiliegen in den mesageätzten Berei-chen einschließlich an einem Rand des Substrats fordert Patentanspruch 1 nicht.
Versucht der Fachmann, sich die Reichweite von Merkmal 2.2. zu erschließen, erkennt er, dass die Halbleiterschicht an einem Rand des Substrats freiliegen soll. Er sieht jedoch auch, dass Merkmal 2.2. weder die Forderung nach einer Anordnung am äußersten Rand verlangt noch explizit vorsieht, dass sich an die freigelegten Abschnitte keine weiteren Bereiche anschließen dürfen.
Zur Beantwortung der Frage der Reichweite der Forderung nach einer Anordnung am Rand des Substrats wird sich der Fachmann daher der Funktion der geforderten Anordnung zuwenden.
Die Streitpatentschrift schweigt zu den technischen Hintergründen der geforderten Anordnung. Sie findet lediglich in Abs. [0078] Erwähnung, wobei die Streitpatentschrift an dieser Stelle anders als Patentanspruch 1 nicht von einer Anordnung am Rand, sondern von einer Solchen in der Nähe eines Randes spricht („The openings 31a are disposed in a region between the mesas M and near an edge of the substrate 21 [...] „Die Öffnungen 31a und 31b sind in einem Bereich zwischen den Mesas M und in der Nähe einer Kante des Substrats 21 angeordnet [...].“).
Der Hintergrund einer solchen Anordnung erschließt sich jedoch mit Blick auf die durch Patentan-spruch 1 unter Schutz gestellte Gesamtanordnung der Leuchtdiode. Liegt die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps in den Randbereichen frei, kann sie dort durch die Stromausbreitungs-schicht kontaktiert werden (Merkmale 2.2. und 5.2.). Damit erfolgt die eigentliche Kontaktierung

22

der ersten Halbleiterschicht durch die Stromausbreitungsschicht auch in den Randbereichen der Halbleiterschicht. Wie die Klägerin unwidersprochen vorgetragen hat, verfolgt die Anordnung des freiliegenden Bereichs am Rand des Substrats das Ziel, eine verbesserte Stromverteilung in der LED zu ermöglichen. Dabei spielt es technisch keine Rolle, ob die äußerste Kante der Halbleiterschicht isoliert ist und die Kontaktierung zwischen Mesa und Isolierung liegt, oder ob die Kontaktierung bis zur äußersten Kante der Halbleiterschicht reicht. Bei beiden Gestaltungen erfolgt der Stromfluss von außen in die Mesa. Dort wird das Licht erzeugt und dieser Stromfluss ist maßgeblich.
Demgegenüber wäre eine Anordnung der freiliegenden Bereiche am äußersten Rand unstreitig mit einer Reihe von Nachteilen verbunden. Neben dem durch eine solche Anordnung verbundenen Kurzschlussrisiko würde sich die Länge des durch den Strom zurückzulegenden Weges und damit auch der elektrische Widerstand erhöhen, ohne gleichzeitig einen Vorteil zu bieten. Darüber hinaus würde eine freiliegende Metallseite im Fertigungsverfahren zu Schwierigkeiten beim Schneiden der LED-Chips (sog. „chip dicing“) führen, wobei die zusammenhängend hergestellten Chips manu-ell geschnitten werden. Das funktioniert unstreitig besser, wenn die Schnittstelle aus dem Substrat und Isolierschichten besteht, als bei Metallkanten (vgl. Replik, S. 4).
Davon ausgehend gelangt der Fachmann zu der Erkenntnis, dass die Anordnung „am Rand“ nicht im Sinne einer Anordnung am äußersten Rand zu verstehen ist. Ausreichend, aber auch erforder-lich ist vielmehr, dass sich die freiliegenden Bereiche derart im Randbereich befinden, dass der vorstehend erläuterte Stromfluss von außen nach innen ermöglicht und die vorstehend genannten Nachteile vermieden werden.
bb)
Neben der in den mesageätzten Bereichen freigelegten Halbleiterschicht eines ersten Leitfähig-keitstyps umfasst die Leuchtdiode eine Mesa (M), die auf der ersten Halbleiterschicht (110) des ersten Leitfähigkeitstyps angeordnet sein soll und eine aktive Schicht (120) und eine Halbleiter-schicht (130) eines Leitfähigkeitstyps umfasst (Merkmalsgruppe 3.).
Darüber hinausgehend definiert die Streitpatentschrift den Begriff der Mesa nicht. Nach dem un-bestritten gebliebenen Vortrag der Klägerin (vgl. Erwiderung auf die Nichtigkeitswiderklage, S. 2 f.) ist nach dem allgemeinen Sprachgebrauch unter einer Mesa eine Erhebung mit einer ebenen Ober-fläche und (mehr oder weniger) steiler Flanke zu verstehen. Im LED-Bereich beschreibt der Begriff Mesa eine Struktur oder Topographie in Form einer erhabenen Fläche oder eines Plateaus auf der Oberfläche des Halbleitermaterials, die durch Ätzverfahren geformt wird.
Obwohl in der Streitpatentbeschreibung wiederholt eine Vielzahl (bzw. Pluralität) von Mesas sowie mehrere Mesas Erwähnung finden (vgl. etwa Abs. [0021] - [0023], [0028], [0038], [0040], [0042], [0044], [0071] - [0074], [0077] f., [0080], [0091], [0093] f.), umfasst die Leuchtdiode nach dem für die Reichweite des Schutzbereichs maßgebliche Patentanspruch eine Mesa M („a mesa“, und da-mit weder zumindest eine Mesa noch eine Pluralität der Mesas). Das diese Vorgabe im Sinne einer zahlenmäßigen Begrenzung auf genau eine Mesa zu verstehen ist, wird bereits mit Blick auf die Merkmale 4. und 4.1. der vorstehend eingeblendeten Merkmalsgliederung deutlich: Danach ist die reflektierende Elektrode auf der Mesa angeordnet („disposed on the mesa“). Damit korrespondie-rend spricht auch Unteranspruch 2 von der Oberfläche der Mesa („the mesa“). Das Vorhandensein mehrerer Mesas führt daher aus dem Schutzbereich heraus.
Die Frage, ob jedenfalls öffentlich zugängliche Unterlagen, wie etwa die Offenlegungsschrift, her-angezogen werden könne, um den Patentanspruch in der geltenden Anspruchsfassung zu deuten (vgl. dazu: UPC_CFI_292/2023 (LK München), Anordnung v. 20.12.2024 – SES-imagotag SA v. Hans-how Technology Co. Ltd. et al.; UPC_CFI_452/2023 (LK Düsseldorf), Anordnung v. 09.04.2024 –
23

Mammut Sports Group GmbH v. Ortovox Sportartikel GmbH), bedarf vorliegend keiner Entschei-dung. Die Offenlegungsschrift bestätigt das bereits auf der Grundlage der Streitpatentschrift ge-fundene Ergebnis. Während Patentanspruch 1 der Offenlegungsschrift von einer „Pluralität der Mesas“ („plurality of mesas“) spricht, hat dies in Patentanspruch 1 des Streitpatents keinen Nie-derschlag gefunden. Dieser nimmt vielmehr von der Notwendigkeit des Vorhandenseins mehrerer Mesas Abstand und fordert stattdessen, dass die Leuchtdiode neben weiteren Bauteilen „eine Mesa“ umfasst. Mithin legt sich Patentanspruch 1 in Bezug auf die Anzahl der Mesa(s) fest: Die Leuchtdiode soll (genau) eine Mesa umfassen. Davon gehen auch die Parteien übereinstimmend im Rahmen ihrer Ausführungen aus.
cc)
Erfindungsgemäß weist die Leuchtdiode weiterhin eine auf der Mesa angeordnete reflektierende Elektrode auf, die so eingerichtet ist, dass sie in ohmschem Kontakt mit der Halbleiterschicht (130) des zweiten Leitfähigkeitstyps steht (Merkmalsgruppe 4).
Solange die Elektrode reflektierende Eigenschaften aufweist und in ohmschem Kontakt mit der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps steht, ist ihre weitere technische Gestaltung dem Fachmann überlassen. Eine Möglichkeit, die Elektrode reflektierend auszugestalten, ist das Vorse-hen einer reflektierenden Metallschicht, die das in der aktiven Schicht erzeugte Licht reflektiert (vgl. etwa Abs. [0010] und [0112] sowie Figuren 10 und 12). Als mögliche Materialien einer solchen Schicht nennt die Streitpatentbeschreibung Silber (Ag) bzw. Silberlegierungen oder Aluminium (Al) bzw. Aluminiumlegierungen (Abs. [0010] a.E., [0075], [0098], [0112], [0115] f., [0129], [0140]).
Der Begriff „ohmscher Kontakt“ (engl. „ohmic contact“) wird in der Streitpatentschrift nicht defi-niert. Unstreitig handelt es sich um einen im technischen Sprachgebrauch bekannten Begriff. Ein ohmscher Kontakt in einem Halbleiter bezieht sich auf eine Verbindung, an der der elektrische Widerstand zwischen dem Halbleitermaterial und einem anderen elektrischen Element, wie etwa einer Elektrode, ohmsch ist. Das bedeutet, dass der elektrische Strom proportional zur angelegten Spannung ist, d.h. dem ohmschen Gesetz folgt. Eine „übliche“ Metall-Halbleiter-Kontaktierung, also ein Metall, das unmittelbar an einem Halbleiter anliegt, bildet einen ohmschen Kontakt (vgl. Klageschrift, S. 41).
dd)
Um das mit der Erfindung angestrebte Ziel einer verbesserten Stromverteilungsleistung (vgl. Abs. [0014] und [0044]) zu erreichen, weist die durch Patentanspruch 1 unter Schutz gestellte Leucht-diode eine Stromausbreitungsschicht auf (Merkmalsgruppe 5.).
Diese wird in Patentanspruch 1 dahingehend näher charakterisiert, dass sie auf der Mesa und der reflektierenden Elektrode angeordnet ist (Merkmal 5.1.). Zudem soll sie einen ersten Abschnitt umfassen, der so eingerichtet ist, dass er in ohmschem Kontakt mit einer Oberseite eines Endab-schnitts der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps steht (Merkmal 5.2.).
Weitere Vorgaben zur technischen Gestaltung der Stromausbreitungsschicht finden sich in Pa-tentanspruch 1 nicht. Soweit die Stromverteilungsschicht (33) in Abs. [0080] im Zusammenhang mit der Erläuterung der in Figur 8 gezeigten Gestaltung dahingehend charakterisiert wird, dass sie die Pluralität der Mesas M bedeckt (vgl. auch Abs. [0022] und [0093] f.) und über Öffnungen im oberen Bereich verfügt, durch welche die reflektierenden Dioden freigelegt sind, hat dies im Pa-tentanspruch keinen Niederschlag gefunden. Es handelt sich um ein bevorzugtes Ausführungsbei-spiel, auf welches die Erfindung nicht reduziert werden darf. Gleiches gilt, soweit die Stromaus-breitungsschicht nach Abs. [0097] im Wesentlichen eine Gesamtfläche der ersten leitfähigen

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Schicht zwischen den Mesas M bedecken soll. Dazu, in welchem Umfang die Stromausbreitungs-schicht bestimmte Bereiche bedeckt, verhält sich Patentanspruch 1 nicht. Er lässt es ausreichen, dass die Stromausbreitungsschicht auf der Mesa und der reflektierenden Elektrode angeordnet ist. Eine Bedeckung der Gesamtfläche der ersten Halbleiterschicht fordert er demgegenüber ebenso wenig wie eine durchgängige Ausbildung der Stromausbreitungsschicht. Dass das Streitpatent auch eine solche durchgängige Ausbildung von Schichten kennt, führt Abs. [0091] vor Augen, wonach die erste Halbleiterschicht durchgängig ausgebildet sein soll. Derartiges fordert Patentanspruch 1 in Bezug auf die Stromausbreitungsschicht gerade nicht.
Soll die Stromausbreitungsschicht elektrisch einen Abschnitt umfassen, der so eingerichtet ist, dass er in ohmschem Kontakt mit einer Oberseite eines Endabschnitts der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps steht, muss sie diese Halbleiterschicht in einem Maße bedecken, welches eine derartige Verbindung ermöglicht. Sie muss daher zumindest im Bereich des Endabschnitts der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps stehen. Zudem muss die Stromausbreitungsschicht so gestaltet sein, dass sie durch die obere Isolierschicht bedeckt werden kann (Merkmal 7.1.).
Mehr verlangt Patentanspruch 1 nicht. Solange die Stromausbreitungsschicht mit Strom versorgt werden kann und einen ersten Abschnitt aufweist, der so eingerichtet ist, dass er in ohmschem Kontakt mit einer Oberseite eines Endabschnitts der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps steht, führen Unterbrechungen in der Stromausbreitungsschicht nicht aus dem Schutzbereich des Streitpatents heraus.
Dass das Streitpatent auch eine Bedeckung der Gesamtoberfläche des Substrats kennt, verdeut-licht Abs. [0082] der Streitpatentbeschreibung, wo es unter anderem heißt:
“The current spreading layer 33 is formed substantially over the entirety of the upper surface of the substrate 31 excluding the openings 33a. With this structure, current can be easily spread through the current spreading layer 33.”
Und in deutscher Fassung (Anlage LL 8a):
„Die Stromverteilungsschicht 33 ist im Wesentlichen über die gesamte Oberfläche des Substrats mit Ausnahme der Öffnungen 33a ausgebildet. Bei dieser Struktur kann der Strom leicht durch die Stromverteilungsschicht 33 geleitet werden.“
(Hervorhebung hinzugefügt)
Auf eine solche Einschränkung, wie sie im Rahmen der Erläuterung des in Figur 8 gezeigten Aus-führungsbeispiels Erwähnung findet, ist Patentanspruch 1 jedoch nicht beschränkt. Die Forderung nach der Ausbildung der Stromverteilungsschicht über die gesamte Oberfläche des Substrats hat in Patentanspruch 1 keinen Niederschlag gefunden.
Dass eine durchgängige Ausbildung der Stromausbreitungsschicht, wie die Klägerin im Einzelnen vorgetragen hat, möglicherweise zu einer verbesserten Stromverteilung führt, kann zu Gunsten der Klägerin unterstellt werden. Lässt Patentanspruch 1 auch eine nicht-vollflächige Ausgestaltung der Stromausbreitungsschicht zu, nimmt er die damit verbundenen Nachteile in Kauf. Eine Ein-schränkung des Schutzbereichs unter den Wortlaut des Patentanspruchs lässt sich mit derartigen funktionalen Erwägungen nicht begründen.
Selbst wenn die Stromausbreitungsschicht erfindungsgemäß auch als Reflektor dienen kann, was möglicherweise eine vollflächige durchgehende Schicht voraussetzt, rechtfertigt dies keine abwei-

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chende Bewertung. Bei der Ausstattung der Stromausbreitungssschicht mit reflektierenden Eigen-schaften handelt es sich lediglich um eine optionale Gestaltung (Abs. [0024], [0098], [0149] - [0151], [0170] - [0173]), die sich lediglich mit einer bestimmten Ausgestaltung der Stromausbrei-tungsschicht realisieren lässt. Dies betrifft nicht nur den Einsatz bestimmter reflektierender Mate-rialen, wie etwa Aluminium, sondern auch die Form der Stromausbreitungsschicht. Weder die Aus-stattung der Stromausbreitungsschicht mit reflektierenden Eigenschaften noch deren Materialzu-sammensetzung haben jedoch in Patentanspruch 1 Niederschlag gefunden. Möchte der Fachmann der Stromausbreitungsschicht eine solche Funktion zuweisen, wird der Stromausbreitungsschicht mit entsprechenden reflektierenden Materialien ausstatten und sich für eine Form der Schicht ent-scheiden, die eine solche Reflektion ermöglicht. Bedingung für eine Verwirklichung des deutlich breiter formulierten Patentanspruchs 1 ist dies jedoch nicht.
ee)
Wie der Fachmann der Merkmalsgruppe 6. der vorstehend eingeblendeten Merkmalsgliederung entnimmt, ist erfindungsgemäß zwischen der Mesa und der Stromausbreitungsschicht sowie der reflektierenden Elektrode und der Stromausbreitungsschicht eine untere Isolierschicht angeord-net, die so eingerichtet ist, dass sie die Stromausbreitungsschicht von der reflektierenden Elekt-rode isoliert. Solange die untere Isolierschicht diese ihr zugedachte Isolierfunktion wahrnehmen kann, ist ihre nähere technische Gestaltung dem Fachmann überlassen.
ff)
Erfindungsgemäß soll die Stromausbreitungsschicht von einer oberen Isolierschicht bedeckt sein (Merkmalsgruppe 6). Dabei umfasst die obere Isolierschicht ein Loch, das einen zweiten Abschnitt der Stromausbreitungsschicht freilegt, der auf einem oberen Abschnitt der Mesa angeordnet ist.
Weshalb es einer solchen oberen Isolierschicht bedarf, erschließt sich dem Fachmann mit Blick auf die zum allgemeinen Fachwissen gehörende Funktionsweise einer Leuchtdiode: Sowohl die Halb-leiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps als auch die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeits-typs müssen jeweils an eine externe Stromquelle angeschlossen werden. Während eine der Halb-leiterschichten positiv geladen ist, ist die andere Schicht negativ geladen. Dementsprechend muss jede Halbleiterschicht getrennt elektrisch kontaktiert werden. Es entstehen zwei Kontaktbereiche, in denen einerseits nur die Stromausbreitungsschicht, verbunden mit der Halbleiterschicht des ers-ten Leitfähigkeitstyps (Merkmale 2.2., 5.2.), und andererseits nur die reflektierende Elektrode mit der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps verbunden sind (Merkmal 4.2.). Vor diesem Hintergrund muss die obere Isolierschicht dort isolierend wirken und dementsprechend die Strom-ausbreitungsschicht (erster Leitfähigkeitstyp) abdecken, wo die Stromversorgung der Elektrode (zweiter Leitfähigkeitstyp) erfolgt. Ist dies gewährleistet, deckt die obere Isolierschicht die Strom-ausbreitungsschicht, wie von Merkmal 7.1 gefordert, ab. Einer vollständigen Bedeckung der Strom-ausbreitungsschicht, die lediglich das erste Loch im Sinne von Merkmal 7.2. aufweist, bedarf es demgegenüber nicht.
Liest der Fachmann die Merkmale 5.2. und 7.2. zusammen, verfügt die Stromausbreitungsschicht damit über (mindestens) zwei Abschnitte: Ein erster Abschnitt steht in ohmschem Kontakt mit ei-ner Oberseite des Endabschnitts der ersten Halbleiterschicht. Ein zweiter Abschnitt ist oberhalb der Mesa angeordnet und liegt dort aufgrund eines entsprechenden Loches frei. Dadurch ist ge-währleistet, dass die Stromausbreitungsschicht, etwa über ein oberhalb der Isolierschicht ange-ordnetes Pad, mit Strom versorgt werden kann. Ihr obliegt sodann die Stromversorgung der Halb-leiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps über den zwischen der Stromausbreitungsschicht und einem Endabschnitt der Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps bestehenden ohmschen Kontakt (vgl. Abs. [0085] und [0095]).

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C. Begründetheit der Nichtigkeitswiderklage
Die Nichtigkeitswiderklage hat in der Sache Erfolg.
Das Streitpatent erweist sich weder in der eingetragenen Fassung noch in der Fassung der Ände-rungsanträge als schutzfähig.
I.
Der Gegenstand von Patentanspruch 1 geht über den Inhalt der ursprünglichen Anmeldung hin-
ausgehen und beruht daher auf einer unzulässigen Erweiterung.
1.
Art. 138 Abs. 1 lit. c) EPÜ sieht vor, dass ein europäisches Patent mit Wirkung für einen Vertrags-staat für nichtig erklärt werden kann, wenn der Gegenstand des europäischen Patents über den Inhalt der Anmeldung in der ursprünglich eingereichten Fassung oder, wenn das Patent aufgrund einer Teilanmeldung erteilt wurde, über den Inhalt der früheren Anmeldung in der ursprünglich eingereichten Fassung hinausgeht (Art. 123 Abs. 2 EPÜ).
2.
Das ist vorliegend der Fall. Es fehlt in der Offenlegungsschrift an der Offenbarung einer Leuchtdi-
ode mit einer Mesa und einer auf ihr angeordneten reflektierenden Elektrode (Merkmalsgruppen
0. und 4.), wie sie Patentanspruch 1 unter Schutz stellt.
b)
Dass die Offenlegungsschrift (vgl. Anlage B 4) in wesentlichen Teilen Gestaltungen mit einer Viel-zahl („Plurality“) von Mesas und mit auf diesen angeordneten reflektierenden Elektroden be-schreibt, stellt die Klägerin zu Recht nicht in Abrede.
(1)
So wird die Leuchtdiode in Patentanspruch 1 der Offenlegungsschrift unter anderem wie folgt cha-
rakterisiert:
„A light emitting diode, comprising
[...]
a plurality of mesas separated from each other on the first conducted type semiconductor layer and each comprising an active layer and a second conductive type semiconductor layer;
reflective electrodes each disposed on the corresponding mesa area and in the ohmic contact with the second conductive type semiconductor layer; [...]”
(Hervorhebungen hinzugefügt)
Und in deutscher Übersetzung (Anlage B 4a):
„Leuchtdiode, umfassend:
[...]
eine Vielzahl von Mesas, die auf der Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps voneinander getrennt sind und jeweils eine aktive Schicht und eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeits-typs umfassen;

27

reflektierende Elektroden, die jeweils auf dem entsprechenden Mesa-Bereich angeordnet sind und in ohmschen Kontakt mit der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps stehen [...]“
(Hervorhebungen hinzugefügt)
Die so umschriebene Leuchtdiode zeichnet sich somit durch eine Vielzahl voneinander getrennter Mesas sowie reflektierenden Elektroden aus, die jeweils auf dem entsprechenden Bereich der Mesa angeordnet sind.
(2)
Damit korrespondierend spricht auch die allgemeine Beschreibung der Offenlegungsschrift von ei-ner Vielzahl voneinander getrennter und auf der ersten Halbleiterschicht angeordneter Mesas so-wie von Elektroden, die jeweils auf dem entsprechenden Mesa-Bereich angeordnet sind (Anlage B 4, S. 3 Mitte; Anlage B4a, Abs. [0019]). Ein Hinweis auf eine nur mit einer Mesa und einer Elekt-rode ausgestattete Leuchtdiode findet sich im allgemeinen Teil der Beschreibung der Offenle-gungsschrift nicht (vgl. Anlage B 4, S. 3 Mitte - S. 6 oben; Anlage B 4a, Abs. [0019] - [0042]). Viel-mehr beschreibt die Offenlegungsschrift dort durchgängig Gestaltungen mit einer Vielzahl von Me¬sas und reflektierenden Elektroden auf diesen Mesas. Das gilt sowohl im Hinblick auf die Ausfüh-rungen zur räumlich-körperlichen Ausgestaltung der Mesas, als auch in Bezug auf die Erläuterung möglicher Herstellungsverfahren.
(3)
Vergleichbares gilt für die in den Figuren 6 bis 10, 13 bis 18 sowie 19 bis 23 nebst der zugehörigen Beschreibung erläuterten Ausführungsbeispiele (Anlage B 4, S. 9 unten - S. 14 Mitte; S. 16 oben - S. 20 oben; S. 20 oben - S. 22 oben; Anlage B 4a, Abs. [0067] - [0098]; Abs. [0116] - [0141]; Abs. [0142] - [0161]). An keiner Stelle findet dort eine Gestaltung mit nur einer Mesa und einer, auf dieser angeordneten reflektierenden Elektrode Erwähnung. Vielmehr weist die Leuchtdiode bei den dort beschriebenen Ausführungsbeispielen entweder eine Vielzahl von Mesas („plurality of mesas“) sowie jeweils auf diesen angeordneten Elektroden („reflective electrodes“, Hervorhebung hinzugefügt) oder, soweit sich die Beschreibung lediglich mit den mesageätzten Bereichen und nicht mit der Zahl der Mesas beschäftigt, mehrere reflektierende Elektroden auf (vgl. Anlage B 4, S. 19 unten und S. 20 Mitte; Anlage B 4a, Abs. [0141] und [0146]). Allein der im Rahmen der Erläu-terung der Figuren 19 bis 23 zu findende Hinweis, die Zahl der freiliegenden Elektroden könne je nach Bedarf geändert werden (Anlage B 4, S. 20 Mitte; Anlage B 4a, Abs. [0145]) bietet für den Fachmann schon deshalb keinen Anlass zu der Annahme, es solle entgegen der Ansprüche und der weiteren Beschreibung nunmehr auch eine Gestaltung mit nur einer Mesa und einer, auf dieser angeordneten Elektrode unter Schutz gestellt werden, weil sich die Offenlegungsschrift im Zusam-menhang mit den Figuren 19 bis 23 überhaupt nicht mit der Zahl der Mesas beschäftigt. Gegen-stand dieses Ausführungsbeispiels ist vielmehr ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode, im Rahmen dessen ein Teil der reflektierenden Elektroden freigelegt wird.
(4)
Soweit die Klägerin vor diesem Hintergrund im Hinblick auf die Offenbarung der durch das Streit-patent unter Schutz gestellten Leuchtdiode mit einer Mesa und einer auf ihr angeordneten Elekt-rode auf das in den Figuren 24 bis 26 gezeigte Ausführungsbeispiel verweist, fehlt es auch dort an einer entsprechenden Offenbarung. Die nachfolgend (verkleinert) eingeblendete Abbildung zeigt Figur 24 der Offenlegungsschrift in einer durch die Klägerin kolorierten Fassung:

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Die Gestaltung weist lochförmig ausgebildete mesageätzte Bereiche (150) auf, wobei die erste Halbleiterschicht in den mesageätzten Bereichen (150) freigelegt ist (vgl. Anlage B 4, S. 22 Mitte; Anlage B 4a, Abs. [0163] und [0167]). Die Mesa findet in der Beschreibung im Rahmen der Erläute-rung der Figuren 23 bis 26 keine Erwähnung.
Anders verhält es sich allerdings mit der Zahl der Elektroden. Dazu findet sich unter anderem Fol-gendes:
„[...] The lower insulation layer 200 exposes part of an upper surface of each of the reflective elec¬trodes 140 [...].”
„In some areas, the reflective electrodes 140 are exposed [...].”
“[...] the reflective electrodes 140 are electrically isolated from the current spreading layer [...]”
“[...] Specifically, in the sectional view taken along line D-D’, two reflective electrodes 140 are ex-posed in a portion intersection the two exposed reflective electrodes 140, and in a portion along line intersecting a region buried only by the incurrent layer 210, the lower insulation layer 200 is formed on the reflective electrodes 140 and the current spreading layer 200 is formed on the lower insulation layer 200.”
(Hervorhebungen hinzugefügt)
Und in deutscher Übersetzung (Anlage B 4a):
„[...] Die untere Isolierschicht 200 legt einen Teil der oberen Oberfläche jeder der reflektierenden Elektroden 140 frei [...]“ (Abs. [0164])
„In einigen Bereichen sind die reflektierenden Elektroden 140 freiliegend [...]“ (Abs. [0166])
„[...] die reflektierenden Elektroden 140 sind durch eine untere Isolierschicht 200 elektrisch von der Stromverbreitungsschicht 210 isoliert.“ (Abs. [0169])
„[...] Insbesondere sind in der Schnittansicht entlang der Linie D-D‘ zwei reflektierende Elektroden 140 in einem Abschnitt freigelegt, der die beiden freigelegten Elektroden 140 schneidet, und in ei-nem Abschnitt entlang der Linie, die einen Bereich schneidet, der nur durch die Stromverteilungs-schicht bedeckt ist, ist die untere Isolierschicht 200 auf den reflektierenden Elektroden 140 und die Stromverteilungsschicht 210 auf der unteren Isolierschicht ausgebildet.“ (Abs. [0170])

29

Davon ausgehend gelangt der Fachmann, der sich dem in den Figuren 23 bis 26 gezeigten Ausfüh-rungsbeispiel ausgehend von der Beschreibung nähert, zu der Erkenntnis, dass die den Gegenstand dieses Ausführungsbeispiels bildende Leuchtdiode über mehrere, zumindest aber über mindestens zwei Elektroden (140) verfügt. Dass die Offenlegungsschrift im Rahmen der Erläuterung von Figur 26 einmalig davon spricht, „die reflektierende Elektrode“ (Singular) werde durch die obere Isolier-schicht 220 teilweise freigelegt, verleitet den Fachmann schon deshalb nicht zu einer anderen Be-wertung, weil die Offenlegungsschrift bereits im Folgesatz, im Einklang mit der weiteren Beschrei-bung, erneut von den „reflektierenden Elektroden 140“ (Plural) spricht.
Soweit die Klägerin die Verwendung des Plurals im Rahmen der mündlichen Verhandlung mit Be-sonderheiten der koreanischen Sprache zu erklären versucht hat, kann sie damit schon deshalb nicht durchdringen, weil das Streitpatent in englischer Sprache angemeldet und die Anmeldung auch in dieser Sprache offengelegt wurde. Allein diese Sprachfassung ist mithin bei der Beurteilung der unzulässigen Erweiterung maßgeblich. Eventuelle Übersetzungsfehler gehen zu Lasten der Pa-tentinhaberin und damit vorliegend der Klägerin. Abgesehen davon belässt es die Offenlegungs-schrift in Bezug auf die Elektroden auch nicht bei der Verwendung des Plurals, sondern spricht ausdrücklich von „zwei reflektierenden Elektroden“ bzw. von „jeder der reflektierenden Elektro-den“. Mit bloßen Übersetzungsfehlern bzw. einer vermeintlich in der koreanischen Sprache feh-lenden Sensibilität in der Unterscheidung von Singular und Plural lässt sich die Bezugnahme auf mehrere Elektroden in der Beschreibung mithin nicht erklären.
Wie die Klägerin in der mündlichen Verhandlung unwidersprochen vorgetragen hat, gehört es zum allgemeinen Fachwissen im Bereich der LED-Technik, dass jeweils eine Mesa mit einer Elektrode ausgestattet ist oder – umgekehrt formuliert – dass eine Mesa nicht über mehr als eine Elektrode verfügen kann. Ist dem so, lässt dies für den Fachmann ausgehend von der Beschreibung der Of-fenlegungsschrift und den dort beschriebenen mehreren Elektroden nur den Schluss zu, die in Figur 24 gezeigte Gestaltung verfüge über mehr als eine Mesa. Nachdem die Beschreibung die Zahl der Mesas unerwähnt lässt, zugleich aber ausdrücklich mehrere Elektroden beschreibt, hat der Fach-mann jedenfalls keinen Grund zu der Annahme, es werde nur eine Gestaltung mit einer Mesa und einer auf dieser angeordneten Elektrode offenbart.
Nichts anderes gilt für den Fall, dass sich der Fachmann dem Ausführungsbeispiel ausgehend von Figur 24 nähert. Zwar wird der Fachmann erkennen, dass in der Schnittdarstellung unten, anders als in den Figuren 6 bis 10, nicht zwingend eine Mehrzahl von Mesas gezeigt ist. Der Wechsel zwi-schen erhabenen und flachen Abschnitten resultiert aus dem gewählten Schnitt, der mehrere loch-förmige mesageätzte Bereiche umfasst. Jedoch lässt allein die Figur auch nicht den zwingenden Schluss zu, dort sei lediglich eine Mesa gezeigt. Eine solche ist weder in der Draufsicht noch in der Schnittdarstellung klar zu sehen. Was der Fachmann allerdings sieht, sind die Elektroden (140), von denen insgesamt drei zu sehen sind. Zieht der Fachmann davon ausgehend das von der Klägerin selbst geschilderte und unbestritten gebliebene allgemeine Fachwissen heran und geht er vor die-sem Hintergrund davon aus, dass im Bereich der LED-Technik stets jede Elektrode einer Mesa zu-geordnet ist und eine Mesa nicht mit mehreren Elektroden ausgestattet sein kann, lässt auch Figur 24 für ihn nur einen Schluss zu: Die Figur zeigt nicht eine, sondern mehrere Mesas mit jeweils einer Elektrode. Auch bei einer solchen Betrachtung offenbart Figur 24 daher keine Leuchtdiode mit ei-ner Mesa und einer auf dieser angeordneten reflektierenden Elektrode. Richtet der Fachmann sei-nen Blick demgegenüber zunächst isoliert auf die Gesamtdarstellung und sieht er davon ausgehend in Figur 24 die Darstellung einer Mesa, wird er sich im Anschluss mit den weiteren Eigenschaften der dargestellten Gestaltung beschäftigen. Spätestens dann fällt sein Blick auf die dargestellten drei Elektroden und er erkennt, dass es sich unter Berücksichtigung des allgemeinen Fachwissens nicht um die Darstellung einer Mesa handeln kann. Auch bei einer solchen Betrachtung fehlt es

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mithin an der Offenbarung einer Mesa mit einer auf ihr angeordneten reflektierenden Elektrode, wie sie Patentanspruch 1 unter Schutz stellt.
II.
Die durch die Klägerin formulierten Hilfsanträge verlangen durchweg ebenfalls das Vorhandensein einer Mesa, auf welcher die reflektierende Elektrode angeordnet ist. Sie sind daher von vornherein nicht geeignet, die unzulässige Erweiterung zu beseitigen.
D. Begründetheit der Klage
Die Klage ist unbegründet. Aufgrund der Nichtigkeit des Streitpatents fehlt der Verletzungsklage bereits die Grundlage.
E. Rechtsfolgen
Auf die Nichtigkeitswiderklage ist das Europäische Patent EP 3 223 320 B1 für das Gebiet der Bun-desrepublik Deutschland, der Französischen Republik, der Italienischen Republik und des König-reichs der Niederlande für nichtig zu erklären.
Die Verletzungsklage ist abzuweisen.
Die Klägerin hat die Kosten des Rechtsstreits zu tragen (Art. 69 Abs. 1 EPGÜ).
Gemäß Art. 69 Abs. 1 VerfO sind die Kosten bis zu einer gemäß der Verfahrensordnung festgeleg-ten Obergrenze zu tragen. Bei einem Streitwert von 500.000,- EUR sieht die durch den Verwal-tungsausschluss am 24. April 2023 auf der Grundlage von R. 152.2 VerfO beschlossene Tabelle eine Obergrenze für die erstattungsfähigen Kosten in Höhe von bis zu 56.000,- EUR vor, die vorliegend sowohl für die Klage als auch die Nichtigkeitswiderklage festzusetzen war. Soweit die Parteien in der mündlichen Verhandlung wechselseitig einen erstattungsfähigen Betrag von 100.000,- EUR als erstattungsfähig anerkannt haben, ist mangels entgegenstehender Anhaltspunkte davon auszuge-hen, dass sich dieser Betrag hälftig auf die Klage und die Nichtigkeitswiderklage verteilt. Er liegt dementsprechend unterhalb der festgesetzten Obergrenze. Gegen die Erstattungsfähigkeit beste-hen daher keine Bedenken.

31

ENTSCHEIDUNG:
A. Auf die Nichtigkeitswiderklage wird das europäische Patent EP 3 223 320 B1 für das Gebiet der Bundesrepublik Deutschland, der Französischen Republik, der Italienischen Republik und des Königreichs der Niederlande für nichtig erklärt.
B. Die Anträge auf Änderung des Streitpatents werden zurückgewiesen.
C. Die Verletzungsklage wird abgewiesen.
D. Die Kosten des Rechtsstreits trägt die Klägerin.
E. Der Streitwert für die Klage und die Nichtigkeitswiderklage wird auf jeweils 500.000,-EUR festgesetzt.
F. Die Obergrenze der erstattungsfähigen Vertretungskosten wird für die Klage sowie für die Nichtigkeitswiderklage auf jeweils 56.000,- EUR festgesetzt.
DETAILS DER ANORDNUNG:
Hauptaktenzeichen ACT_594849/2023 und CC_3555/2024
UPC-Nummer: UPC_CFI_483/2023
Verfahrensart: Verletzungsklage und Nichtigkeitswiderklage
Düsseldorf am 10. Oktober 2024
NAMEN UND UNTERSCHRIFTEN

Vorsitzender Richter Thomas
Rechtlich qualifizierte Richterin Dr. Thom

Rechtlich qualifizierte Richterin Mlakar
Technisch qualifizierte Richterin Sani
Für den Hilfskanzler Boudra-Seddiki

INFORMATIONEN ZUR BERUFUNG:
Gegen die vorliegende Entscheidung kann durch jede Partei, die ganz oder teilweise mit ihren Anträgen erfolglos war, binnen zwei Monaten ab Zustellung der Entscheidung beim Berufungsgericht Berufung ein-gelegt werden (Art. 73 (1) EPGÜ, R. 220.1 (a), 224.1 (a) VerfO).
Informationen zur Vollstreckung (Art. 82 EPGÜ, Art. 37 Abs. 2 EPGS, R. 118.8, 158.2, 354, 355.4 VerfO):
Eine beglaubigte Kopie der vollstreckbaren Entscheidung wird vom Hilfskanzler auf Antrag der vollstrecken-den Partei ausgestellt, R. 69 RegR.
Anweisung an das Register:
Eine beglaubigte Kopie der Entscheidung ist an das Europäische Patentamt sowie an das Deutsche Patent-und Markenamt, an das Institut National de la Propriété Industrielle, an das italienische Patent- und Mar-kenamt sowie an das niederländerische Patentamt zu übermitteln, sobald die Entscheidung zu den Nichtig-keitswiderklagen rechtskräftig geworden ist.
Diese Entscheidung wurde am 10. Oktober 2024 in öffentlicher Sitzung verkündet. Vorsitzender Richter Thomas



Machine Translation

Local Division
Düsseldorf
UPC_CFI_483/2023

Decision
of the Court of First Instance of the Unified Patent Court
pronounced on 10 October 2024
concerning 3 223 320 B1
HEADNOTES:
1. If the plaintiff wishes to make a claim against several defendants, he has the choice of suing each defendant individually or bringing an action against several defendants. If the plaintiff decides in favour of the latter, the actions must nevertheless each be dealt with independently. Each defendant conducts its own lawsuit formally and substantively independently of the others, without the respective actions of one defendant causing advantages or disadvantages for the other defendant.
2. If R. 25.1 RoP requires the filing of a counterclaim for a declaration of invalidity of the patent, provided that the statement of defence includes the allegation that the allegedly infringed patent is invalid, this applies separately to each defendant. This does not exclude the joint filing of a revocation counterclaim by several defendants. However, if individual defendants decide against filing a nullity counterclaim and the counterclaim is therefore expressly only filed by individual defendants, the validity argument is formally excluded for the defendants not involved in the nullity counterclaim. They can therefore not successfully invoke the lack of legal standing in their proceedings. However, as long as the court refrains from separating the proceedings against several defendants, this has no de facto effect.
3. The answer to the question of whether an order or decision should be made dependent on a security to be determined by the court (R. 118.8 RoP) always requires a case-by-case examination in which the plaintiff's interest in the effective enforcement of its property right must be weighed against the interest in the effective enforcement of possible claims for damages in the event that the judgement is subsequently set aside. Factors to be considered when deciding whether to order security include the plaintiff's financial situation, which may give rise to legitimate and real concerns that a possible claim for damages cannot be enforced and/or enforced or can only be enforced at disproportionate expense. Whether and to what extent such factors exist must be determined on the basis of the facts and arguments presented by the parties.
KEYWORDS:
Isolated nullity counterclaim by individual defendants; direct patent infringement; no security

Plaintiff:
Seoul Viosys Co, Ltd, legally represented by its authorised representatives Chung- Hoon Lee and Young Ju Lee, 65-16, Sandan-ro 163 beon-gil, Danwon-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do, 15429, Republic of Korea,
represented by: Attorney Dr Bolko Ehlgen, Attorney Dr Julia Schön-
bohm, Linklaters LLP, Taunusanlage 8, 60329 Frankfurt am Main,
Germany,
supported by: Patent attorney Dr Dipl.-Phys. Olaf Isfort, law firm Schneiders &
Beh-
rendt, Huestraße 23, 44787 Bochum,
Germany, electronic delivery address:
bolko.ehlgen@linklaters.com
Defendant:
1. expert e-Commerce GmbH, legally represented by its managing directors Dr Stefan Müller and Michael Grandin, Bayernstraße 4, 30855 Langenhagen,
represented by: Lawyer Dr Dirk Jestaedt, law firm Krieger Mes & Graf von der Groeben Part mbB, Bennigsen-Platz 1, 40474 Düsseldorf,
electronic delivery address: info@krieger-mes.de
with the co-operation of: Patent attorney Bernhard Ganahl, HGF Europe LLP, Neumarkter Straße 18, 81673 Munich,
0. expert klein GmbH, legally represented by its managing directors Jens Oerter and Thomas Jacob, Jägerstraße 32, 57299 Burbach,
represented by: Lawyer Dr Dirk Jestaedt, law firm Krieger Mes & Graf von der Groeben Part mbB, Bennigsen-Platz 1, 40474 Düsseldorf,
electronic delivery address: info@krieger-mes.de
with the co-operation of: Patent attorney Bernhard Ganahl, HGF Europe LLP, Neumarkter Straße 18, 81673 Munich,
STREITPATENT:
European Patent No. 3 223 320 B1
ADJUDICATING BODY/CHAMBER:
Panel of the Local Division Düsseldorf
2

CONTRIBUTING JUDGES:
The decision was pronounced with the participation of the presiding judge Thomas as the judge, the legally qualified judge Dr Thom, the legally qualified judge Mlakar and the technically qualified judge Sani.
LANGUAGE OF PROCEDURE: German
SUBJECT MATTER: Action for infringement and action for annulment
ORAL NEGOTIATION: 5 September 2024
BRIEF DESCRIPTION OF THE FACTS:
The plaintiff is suing the defendants for infringement of EP 3 223 320 B1 (hereinafter: patent in suit). The patent in suit is a divisional application of the European patent EP 2 757
598 B1. It claims the priority of KR20110093396 of 16 September 2011, KR20210015758 of 16 February 2012 and KR20120052722 of 17 May 2012. The European Patent Office published the mention of the grant of the patent in suit with effect (inter alia) for Germany, France, Italy and the Netherlands on 21 July 2023, the plaintiff being the registered proprietor of the patent in suit. The patent in suit is in force in the aforementioned contracting states.
The patent in suit applied for in English is entitled "Light emitting diode". Its claim 1 is in the English language:
"A light emitting diode, comprising:
a first conductivity type semiconductor layer (110) formed on a substrate (100);
a mesa disposed on the first conductivity type semiconductor layer (110), the mesa comprising an active layer (120) and a second conductivity type semiconductor layer (130);
a reflective electrode (140) disposed on the mesa and configured to be in ohmic-con-tact with the second conductivity type semiconductor layer (130);
a current spreading layer (210) disposed on the mesa and the reflective electrode (140), the current spreading layer (210) comprising a first portion configured to be in ohmic-contact with an upper surface of an end portion of the first conductivity type semiconductor layer (110);
a lower insulating layer (200) disposed between the mesa and the current spreading layer (210) as well as the reflective electrode (140) and the current spreading layer (210), the lower insulating layer (200) configured to insulate the current spreading layer (210) from the mesa and the reflective electrode (140);
and an upper insulating layer (220) covering the current spreading layer (210), the up¬per insulating layer (220) comprising a first hole exposing a second portion of the current spreading layer (210) that is disposed on an upper portion of the mesa;

3

characterised in that the first conductivity type semiconductor layer is exposed in mesa-etched areas (150) through the lower insulation layer (200) including at an edge of the substrate (100).T1
In the registered German translation, claim 1 is worded as follows:
T1Light-emitting diode, comprehensive:
a semiconductor layer (110) of a first conductivity type provided on a substrate (100) is formed;
a mesa disposed on the semiconductor layer (110) of the first conductivity type, the mesa comprising an active layer (120) and a semiconductor layer (130) of a second conductivity type;
a reflective electrode (140) ordered on the mesa and arranged to be in ohmic contact with the semiconductor layer (130) of the second conductivity type;
a current propagation layer (210) disposed on the mesa and the reflective electrode (140), the current propagation layer (210) comprising a first portion arranged to be in ohmic contact with an upper side of an end portion of the semiconductor layer (110) of the first conductivity type;
a lower insulating layer (200) disposed between the mesa and the current propagation layer (210) and the reflective electrode (140) and the current propagation layer (210), the lower insulating layer (200) being arranged to insulate the current propagation layer (210) from the mesa and the reflective electrode (140); and
an upper insulating layer (220) covering the current propagation layer (210), the upper insulating layer (220) comprising a first hole exposing a second portion of the
current propagation layer (210) disposed on an upper portion of the mesa;
characterised in that the semiconductor layer of the first conductivity type is exposed in mesa-etched regions (150) through the lower insulating layer (200), finally at an edge of the substrate (100).T1
Reference is made to the statement of claim with regard to the wording of the auxiliary requests, which are only formulated in the context of T1in particular ifT1 requests.
Figure 10 shown below is taken from the patent in suit:


A substrate (21) can be seen on which a first conductive semiconductor layer (23) is formed. A plurality of mesas M is formed on the first semiconductor layer, which are separated from one another. Each of the mesas M contains an active layer (25) and a second conductive semiconductor layer
(27). The active layer (25) is arranged between the first conductive semiconductor layer (23) and the second conductive semiconductor layer (27). In addition, there are reflective electrodes (30) on each of the plurality of mesas M. Each of the reflective electrodes (30) has a reflective layer (28) and a barrier layer (29). The lower insulating layer (31) covers the plurality of mesas M and the first semiconductor layer (23) and has lower openings (31a, 31b) which enable an electrical connection to the first conductive semiconductor layer (23) and the second conductive semiconductor layer (27) in certain areas. A current distribution layer (33) is formed on the lower insulating layer (31), which covers the plurality of mesas M and the first semiconductor layer (23). An upper insulating layer (35) is formed on the current distribution layer (33), on which in turn a first pad (37a) and a second pad (37b) are located (see patent in suit, paragraphs [0070] - [0086]).
Defendant 1) is part of the expert retail group for consumer electronics, information technology, telecommunications, entertainment and household appliances. Within this structure, it is responsible in particular for the online presence and the e-commerce activities of the expert group of companies in Germany. Defendant 2) is not affiliated under company law with defendant 1) and its group of companies, but operates 25 specialist stores independently as part of the "Expert Fachhandels-Kooperation".
Online sales are carried out jointly by both defendants. When accessing the website www.expert.de, the user is asked to select a suitable speciality store in the expert network based on their location. A corresponding selection leads to an Internet page that can be assigned to defendant 2). According to the legal notice on this website and the information in the website's legal notice, defendant 1) is a "service centre".

5

The defendants are responsible for sales via the website. The defendants are also closely interwoven in the further process of processing orders via the website. For example, the order confirmation, the invoice and the delivery notes each state defendant 1) in conjunction with defendant 2). Defendant 1) appears as the contracting party. However, shipping is carried out by the defendant 1).
The products marketed by the defendants include the smartphone "SMART.5 32 GB" from the manufacturer Emporia. An LED lamp is installed on the back of each of these devices in connection with the camera module:

This LED lamp contains an LED chip, as shown in the following figure, which is mounted on a circuit board (hereinafter: attacked embodiment):

The microscopic images of the contested embodiment produced by the plaintiff show the contested embodiment in detail:

6


The plaintiff bases its infringement action on a direct infringement of patent claim 1 of the patent in suit.
On 23 March 2024, the plaintiff filed an application for amendment of the patent (App_12619/2024) in response to a counterclaim for revocation filed by the defendant 2) based on an inadmissible extension, lack of novelty and lack of inventive step, with which it introduced a total of 7 auxiliary requests into the proceedings.
In a written submission dated 27 June 2024, the plaintiff also filed an application pursuant to R. 30.2 RoP (App_37319/2024), with which the previous auxiliary requests are to be supplemented by three further auxiliary requests.
The plaintiff based its request for admission of the further auxiliary requests on the fact that the defendant 2) had argued for the first time in the reply to the action for annulment that a current propagation layer covering the entire surface of the substrate within the meaning of limitation D was already realised in D 3, although in fact no closed layer was disclosed there, but rather a grid structure which recognisably left large parts of the chip surface exposed. The plaintiff understands this argumentation in such a way that, in the opinion of the defendant 2), the grid structure of D 3 is understood "as a whole" as a current propagation layer which extends over the entire chip surface. This argumentation was not foreseeable for the plaintiff. On the other hand, defendant 2) argues that the statement "essentially" in limitation D results in an ambiguity. This objection also came as a surprise to the plaintiff, because the clarity was unambiguous.
The plaintiff counters the defendant's arguments. Nevertheless, as a highly precautionary measure, it was appropriate to apply for a slightly modified version of restriction D' compared to the previous restriction D, which would remove the basis for the defendant's objections to 2) with regard to clarity.
In a procedural order dated 1 July 2024, the rapporteur stated that there was currently no reason to allow the further amendment (emphasis added).
With regard to this procedural order, the plaintiff filed an application for a review of this order by the panel pursuant to R. 333.1 RoP in a written submission dated 15 July 2024, whereupon the order of the judge-rapporteur was upheld by the panel on 5 August 2024.

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REQUESTS FROM THE PARTIES:
Lawsuit:
The applicant claims that the Court should,
I. The defendants are sentenced,
1. to refrain from doing so,
Light emitting diodes
on the territory of the Federal Republic of Germany, the French Republic, the
Italian Republic and the Kingdom of the Netherlands
to offer, place on the market, use and/or import and/or possess for the aforementioned purposes,
if these include:
a semiconductor layer (110) of a first conductivity type formed on a substrate (100);
a mesa disposed on the semiconductor layer (110) of the first conductivity type, the mesa comprising an active layer (120) and a semiconductor layer (120) of the second conductivity type.
(130) of a second conductivity type;
a reflective electrode (140) ordered on the mesa and arranged to be in ohmic contact with the semiconductor layer (130) of the second conductivity type;
a current propagation layer (210) disposed on the mesa and the reflective electrode (140), the current propagation layer (210) comprising a first portion adapted to be in ohmic contact with a top surface of an end portion of the semiconductor layer (110) of the first conductivity type;
a bottom insulating layer (200) disposed between the mesa and the current spreading layer (210) and the reflective electrode (140) and the current spreading layer (210), the bottom insulating layer (200) being adapted to insulate the current spreading layer (210) from the mesa and the reflective electrode (140); and a bottom insulating layer (200) disposed between the reflective electrode (140) and the current spreading layer (210), the bottom insulating layer (200) being adapted to insulate the current spreading layer (210) from the mesa and the reflective electrode (140).
an upper insulating layer (220) covering the current propagation layer (210), the upper insulating layer (220) comprising a first hole exposing a second portion of the current propagation layer (210) disposed on an upper portion of the mesa;
and characterised in that the semiconductor layer of the first conductivity type is exposed in mesa etched regions (150) through the lower insulating layer (200), including at an edge of the substrate (100);
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2. to pay the court a penalty payment of up to EUR 250,000 for each case of non-compliance with the order under I. 1;
3. within a period of 30 days after service of the notification within the meaning of R. 118.8 sentence 1 RoP and, if applicable, the certified translation, the products delivered since 23 July 2023 in accordance with point I. 1 at the defendant's expense
a. from the distribution channels by informing the third parties from whom the infringing products are to be recalled that this court has found that the products infringe European Patent EP 3 223 320 B1, whereby the defendants must give the third parties a binding undertaking to reimburse the costs incurred, to bear the packaging and transport costs incurred, to reimburse the customs and storage costs associated with the return of the products and to take back the products,
and
b. permanently remove the products from the distribution channels by ordering the defendants, with reference to the fact that this court has found that the products infringe European patent 3 223 320 B1, to require third parties who are industrial purchasers but not end users of the products referred to in point I.1 to cancel all orders relating to the products referred to in point I.1 and to provide the court and the plaintiff with written proof of the action taken within the aforementioned period of 30 days after service of the notification within the meaning of R. 118.8 sentence 1 RoP and, if applicable, the certified translation;
4. to provide the applicant with information on
a. Origin and distribution channels of products delivered, received or ordered since 21 July 2023 in accordance with Section I. 1,
b. the quantities delivered, received or ordered since 21 July 2023 and the prices paid for the products under I. 1, and
c. the identity of all third parties involved in the manufacture or distribution of products under I. 1 since 21 July 2023;
5. within a period of 30 days after delivery of the notification within the meaning of R. 118.8 sentence 1 RoP and, if applicable, the certified translation, to destroy the products in its direct or indirect possession or in its ownership in accordance with section A.I.1 at the defendant's expense.

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II. order the defendants to compensate the plaintiff for all damages which it has suffered and will suffer as a result of the acts described in section I.1 during the term of EP 3 223 320 B1.
III. to declare the conviction under I. and II. immediately effective and enforceable;
IV. order the defendants to pay the costs.
With regard to the wording of the "in particular if" claims, reference is made to the statement of claim.
The defendants request,
1. dismiss the plaintiff's action;
2. order the applicant to pay the costs. Counterclaim and
amendments:
The defendant under 2) applies,
1. declare EP 3 223 320 invalid in the scope of claims 1, 3, 4, 5 and 6 with effect in Germany, France, Italy and the Netherlands;
2. order the applicant to pay the costs. The applicant
claims that the Court should
dismiss the counterclaim for annulment.
With regard to the wording of the amendments, please refer to the written submission dated 25 March 2024 and the annexes.
With regard to the wording of the further auxiliary requests submitted in accordance with R. 30.2. RoP but not yet admitted, reference is made to the written submission of 27 June 2024 (App_37320/2024).
FACTUAL AND LEGAL ISSUES:
Injury:
According to the plaintiff, the structure of the contested embodiment is as follows:


The following figure shows a schematic representation of the layer structure of the contested design from the plaintiff's point of view:

Having said this, the defendants deny infringement on the grounds that, according to the invention, the semiconductor layer of a first conductivity type must be located at an edge of the substructure.

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strats are exposed. It is therefore not sufficient for the opening areas to be arranged near the edge. In contrast, in the contested embodiment, the opening areas are surrounded by an unexposed area which then extends to the edge of the substrate. Therefore, the openings are not located "at an edge of the substrate" as required by claim 1.
On the basis of the understanding adopted by the plaintiff in the context of the action for annulment, a current propagation layer is still lacking. If a "complete layer" is required in this respect, as the plaintiff had stated in connection with citation D 3 (US 2005/0067624 A1), such a layer is not present in the contested embodiment. There are individual narrow webs, which are then connected to a larger surface. The lateral narrow webs would lead to a considerable inhomogeneity of the current distribution and thus cause an asymmetrical current flow.
Furthermore, according to the invention, the current propagation layer should be arranged on the mesa and the reflective electrode. As the figure shown above makes clear, the blue current propagation layer shown there is not located on the mesa. Rather, it leaves the area of the mesa free.
The plaintiff has countered this argument.
With their demand for an order of the openings exclusively at the outermost edge, the defendants contradict the submission of defendant 2) in the context of the action for annulment. There, the defendant 2) itself defines the edge as the non-central area of the LED and contrasts this with an "outermost edge". The term "edge" is to be compared with the term
"End section" is to be understood. It is a matter of delimiting the edge area or end section of the LED from the centre area of the LED in which the mesa is located. The contact should be made in the edge area or end section in order to achieve the improvements in current flow desired by the patent in dispute. The semiconductor layer of the first conductivity type should be exposed through the lower insulating layer where the contacting should be made by the current propagation layer. In order to contact the semiconductor layer of the first conductivity type in an end section, the mesa- etched areas must be exposed through the lower insulating layer at one edge of the substrate. The position of the exposed area is therefore matched to the shape of the current distribution layer.
A narrower interpretation of the term "at the edge" could also not be technically justified. The design has the express purpose of enabling improved current distribution in the LED. To this end, electrical contact is made with the semiconductor layer of the first conductivity type outside the mesa, so that the current does not have to flow from the centre of the chip into the edge areas of the mesa and thus the active layer, but can flow from the outside to the inside. The decisive factor here is that the contact is made outside the mesa, i.e. between the mesa and the outermost edge of the substrate. Technically, however, it does not matter whether the outermost edge of the semiconductor layer is insulated and the contacting is between the mesa and the insulation, or whether the contacting extends to the outermost edge of the semiconductor layer. In both designs, the current flows into the mesa from the outside. This is where the light is generated. This current flow is decisive. In addition, contacting the outermost edge would even be technically disadvantageous. This would increase the length of the path that the current would have to flow and thus also the electrical resistance, without offering any advantage at the same time. A second disadvantage is that an electrically conductive metal layer would be exposed on the side of the LED chip. This would create a short-circuit risk, which could lead to defects and damage to the chip or other components if the exposed area were to be contacted unintentionally.

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will be. A third disadvantage lies in the manufacturing process. The exposed metal side leads to difficulties when cutting the LED chips during production ("chip dicing"). The chips, which are produced in a contiguous manner, are cut manually. This works much better if the interface consists of the substrate and insulating layers than with metal edges.
In the opinion of the plaintiff, the defendants distorted their submissions in the nullity proceedings with their objections to the current propagation layer. When the reply to the revocation counterclaim states that the current propagation layer must be a flat structure, this must be read in the context of the delimitation of D 3. This contains a flat structure consisting of webs and narrow areas, which does not constitute a layer within the meaning of the patent in suit (left: Figure 5 of D 3: right: contested embodiment):

Counterclaim:
In the opinion of the defendant (2), the subject matter of claim 1 of the patent in suit goes beyond the content of the original application and is therefore based on an inadmissible extension. Patent claim 1 requires the presence of a single mesa. Such embodiments with only one mesa were not disclosed in the original patent application. Only embodiments with a plurality of mesas were shown there.
Moreover, US 2005/0067624 A1(D 3) anticipates patent claim 1 of the patent in suit in terms of novelty. This also applies in particular with regard to the requirement that the first semiconductor layers are exposed at one edge of the substrate. What is not meant in this context is that the edge areas must be located "at the outermost edge" and thus no longer be surrounded by the lower insulating layer. Based on this, some of the mesa-etched areas shown in the following Figure 5 of the citation are located in the edge area:

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Furthermore, the novelty is also lacking on the basis of US 2010/0117111 A1 (D 1). Should the court be of the opinion that the citation did not disclose any openings in the edge area, it would initially follow that in this case an infringement of the patent in dispute could not be affirmed either. The contested embodiment does not differ from D 1. In any event, such an embodiment of the insulating layer is disclosed in D 3. Based on D 1, the task of the invention is to improve the current propagation in the semiconductor layer. On the basis of citation D 1, the skilled person is prompted to refer to the explanations and disclosures of D 3. The aforementioned problem is expressly addressed there. As a solution, the citation suggests, for example in the embodiment of Figures 3, 5 and 5, that a plurality of contacts are arranged, which are distributed over the LED, i.e. also in the edge areas of the substrate. The same applies to the embodiment shown in Figures 14 and 15, where a continuous edge area is provided that utilises the entire edge of the substrate for contacting.
In addition, the principle of contacting the semiconductor layer of the first conductivity type at the edge of the substrate, particularly in the case of large-area mesa LEDs, is also known from US 6 486 499 B1 (D 6).
Finally, based on US 2009/0283787 A1 (D 2), the inventive step is also lacking. Figure 3 of this citation anticipates almost all features. It only lacks a reflective electrode and openings in the lower insulating layer, which are arranged at the edge of the substrate. However, such an electrode is disclosed in Figure 2 of the citation. The combination of the reflective electrode with the other layers disclosed in the embodiment example according to Figure 2 with the embodiment disclosed in Figure 3 is already obvious because both embodiment examples are disclosed in D 2. Against this background, certain embodiment variants of the individual designs of the LED could obviously be combined with each other for the person skilled in the art.
Insofar as the issue of the exposure of the semiconductor layer of the first conductivity type at the edge of the substrate is also involved, D 3 shows a corresponding embodiment, both in the embodiment example according to Figures 2, 3, 5 and 6 and in the embodiment example according to Figures 14 and 15. In this respect, it is an independent question which arises for the skilled person. Based on this, the aim is to improve the current distribution by also providing a current contact at the edge. This has nothing directly to do with the further structure of the LED. It could therefore be added independently by the specialist,
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without any further disadvantages or difficulties being associated with the combination. The plaintiff has countered this.
The objection of inadmissible extension had already been raised in the granting procedure, but had been dispelled by the applicant. In common parlance, a mesa is an elevation with a flat surface and a (more or less) steep slope. In the field of LED technology, a mesa is understood to be a structure or topography in the form of a raised area or plateau on the surface of a semiconductor material, which is formed by etching. Based on this, the original application in Figures 24 to 26 shows a further embodiment example in which only one mesa is present on the LED chip. The LED chip shown there has only a single plateau, into which several hole-shaped depressions are made in a rectangular pattern by etching. The recesses expose the first semiconductor layer in each case. Thus, a single mesa is also part of the disclosure of the original application.
Insofar as the defendant 2) refers to D 3 in the context of the discussion of novelty and inventive step, it describes two different embodiments in Figures 5 to 7 and 14 and 15, which must be treated separately in the discussion of both novelty and inventive step. In both embodiments, a large number of features are not disclosed, which is why the subject-matter of claim 1 of the patent in suit is novel in the light of both embodiments. With regard to the inventive step, the overall disclosure of D 3 focuses on the realisation of the current distribution through the grid of the thin connecting lines (15a, 15b). There is nothing apparent which could lead the skilled person to provide a current distribution layer covering the mesa areas instead. Moreover, the two embodiments of D 3 could not be combined with each other. While the first embodiment example is an LED in which the focus is on maximising the active area ("large junction device"), the second embodiment example relates to a "small injunction device" in which a small active area is desired.
Citation D 1 had already been discussed in the grant proceedings. The grant of the patent in suit was based on the finding of the Examining Division of the European Patent Office (EPO) that D 1 did not anticipate the subject-matter of the patent in suit. In particular, the EPO regarded it as establishing novelty that the contacting in the openings
(11) within the mesa area and thus not at the edge of the substrate. The subject-matter of the patent in suit is also not suggested by D 1. This also applies in combination with citations D 3 and D 6. With the design disclosed in D 1, it is not at all possible to establish an electrical contact of the n-layer (6) at the edge of the substrate. A person skilled in the art would not consider making contact with an n-layer exposed at the edge of the substrate in an end area of the n-layer in the LED design of D 1. Another argument against a combination with the second design example of D 3 is that D 1 is about increasing the efficiency of an LED, i.e. maximising the amount of light emitted. For current distribution, D 1 basically uses the same measures as the first embodiment example of D 3, i.e. a grid of interconnected recesses/vias to supply the n-layer with current at a number of contact points distributed over the chip surface. Precisely these measures are also proposed in the first example in D 3 to improve current distribution. There is therefore no recognisable reason why the person skilled in the art should deviate from this. In particular, the person skilled in the art would not consider providing a contact ring of the n-layer as in the second embodiment example of D 3. Nor would a person skilled in the art use the "fingers" of D 6 for the

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application in the LED design of the D 1 at all.
D 2 had already been taken into account in the grant procedure and had not been assessed as preventing patentability. Apart from that, the skilled person had no reason to combine the embodiments shown in Figures 2 and 3 of D 2 or D 2 with D 3.
With regard to the further submissions of the parties, reference is made to the entire contents of the file.
REASONS FOR THE DECISION:
The action for annulment is admissible and well-
founded. The admissible action is not successful on the
merits.
A. Admissibility of the action and the action for annulment
Both the action and the action for annulment are admissible. I.
Since the defendants did not file an opposition within the opposition period, both the jurisdiction of the Unified Patent Court and the jurisdiction of the Düsseldorf Local Court are deemed to be recognised, R. 19.7 RoP.
II.
There are no concerns regarding the admissibility of the counterclaim.
1.
In particular, the Unified Patent Court (UPC) also has international jurisdiction. Pursuant to Art. 32 (1) (e) UPCA, the UPC has exclusive jurisdiction for counterclaims for revocation of (European) patents. As there is currently no opt-out (Art. 83 (3) UPCA) from the exclusive jurisdiction of the court in relation to the patent in dispute, the UPC - as the common court of the UPCA member states - has international jurisdiction for the present counterclaim pursuant to Art. 24 (4), 71a (2) (a), 71b (1) of Regulation (EU) No. 1215/2012.
2.
The fact that the action for annulment was expressly brought by defendant 2) alone, but not by
defendant 1), does not preclude its admissibility.
In principle, if there are several defendants, the plaintiff has the choice of suing each defendant individually or bringing an action against several defendants. If the plaintiff chooses the latter, the court can order a separation of proceedings in accordance with R. 303.3 RoP. If a separate action is brought, the court may join the proceedings in accordance with R. 340 RoP (see Bopp/Kircher, Handbuch Europäischer Patentprozess, 2nd ed., § 12 para. 211).
It follows that the actions against the individual defendants must each be dealt with independently (see Tilmann/Plassmann/Dorn, Unitary Patent, Unified Patent Court, EPG-VerfO § 303 para. 15). Each defendant conducts its own proceedings formally and substantively independently of the others, without the respective actions of one defendant causing advantages or disadvantages for the other defendant (see Luginbühl/Hüttermann, Unitary Patent System, Rule 303 para. 26). Therefore, R. 25.1 RoP requires the filing of a counterclaim for a declaration of invalidity of the patent if the statement of defence includes the assertion that the allegedly infringed patent is invalid,
16

this applies to each defendant separately. This does not exclude the joint filing of an action for annulment by several defendants.
Applied to the present case, it follows that defendant 2) has fulfilled its obligation to file a nullity counterclaim. The fact that defendant 1) waived the right to file a counterclaim for annulment has no influence on the admissibility of defendant 2)'s counterclaim for annulment.
Conversely, it also follows from the above that the defendant 1) has not filed an action for revocation. The validity argument is therefore formally ruled out for them (see: Luginbühl/Hüttermann, Unitary Patent System, R. 25 para. 4).
If the court decides to separate the proceedings against both defendants - as is not the case here - the defendant 1) could therefore not successfully invoke the lack of legal existence in its proceedings. In contrast, without such a separation, the independence of the procedural relationships has no de facto effect on defendant 1), at least as long as the Board refrains from separating the proceedings. If the patent in suit is declared invalid on the basis of a defendant's nullity action, the infringement action as a whole already lacks a basis.
B. Scope of protection of the patent in suit
With regard to the scope of protection of the patent in suit, the following applies:
I.
The patent in suit relates to a light-emitting diode and in particular to a light-emitting diode of
the flip-chip type with improved luminous efficacy.
As the patent in suit explains in the introduction, light-emitting diodes based on gallium nitride are formed by growing epitaxial layers on a substrate. They comprise an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer and an intermediate active layer. An n-type electrode pad is formed on the n-type semiconductor layer and a p-type electrode pad is formed on the p-type semiconductor layer. For operation, the light-emitting diode is electrically connected to an external current source via the electrode pads. At this point, current flows from the p-electrode pad to the n-electrode pad through the semiconductor layer (para. [0003]).
In order to improve heat conduction and at the same time prevent light loss through the p-electrode pad, a light-emitting diode with a flip-chip structure is used in the prior art. In the prior art (see US 6 486 499 B1= Citation D 6 in the nullity action), various electrode structures have been proposed to improve the current distribution in large-area light-emitting diodes with this structure. For example, a reflective electrode is formed on the p-type semiconductor layer. In addition, extensions for current propagation are formed on an area of the n-type semiconductor layer, exposed by etching the p-type semiconductor layer and the active layer (Ref. [0004]). Linear extensions are used, which limit the current distribution due to their high resistance (Ref. [0006]).
In prior art solutions, the reflective electrode formed on the p-type semiconductor layer reflects the light generated in the active layer to increase the light extraction efficiency and supports the current distribution in the p-type semiconductor layer (Ref. [0005]). Since a reflective electrode is placed only on the p-type semiconductor layer, there is significant light loss through the pads and the extensions (Ref.

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[0006]).
LEDs with a flip-chip structure are characterised by the fact that light is emitted through a substrate. Accordingly, after the formation of semiconductor layers on the substrate, a metal reflective layer is formed over the semiconductor layers or a current distribution layer so that light can be reflected by the reflective layer (Ref. [0007]).
Figure 1, shown below in reduced form, taken from the patent in suit and coloured on the court side, is a partial sectional view of a light-emitting diode with a reflective layer from the prior art (para. [0008]):

In particular, a mesa layer (10), an ohmic layer (12) formed from a conductive metal or a conductive oxide and a reflective layer (13) consisting of silver (Ag) or aluminium (Al) can be seen. In the barrier layer (14), first barrier layers (14a) containing nickel (Ni) and second barrier layers (14b) containing tungsten (W) or tungsten-titanium (TiW) are alternately stacked on top of each other. The barrier layer (14) prevents the diffusion of metal elements that form the reflective layer (13). The reflective layer (13) has a higher coefficient of thermal expansion than the barrier layer (14). This leads to stresses in the reflective layer (13). Accordingly, the reflective layer (13) is separated from the resistive layer (12) or the mesa layer (10) under the resistive layer (12) due to the stress generated in the reflective layer (13) at the same temperature (Ref. [0012]).
In addition, various methods have been developed in the prior art to improve the performance, i.e. the internal and external quantum efficiency, of the light-emitting diode. For example, a technique for improving the light extraction efficiency was developed in the prior art (para. [0013]).
US 2010/0117111 A1 (= citation D 1 in the cancellation counterclaim) describes an optoelectronic component comprising: a semiconductor body comprising an active region suitable for generating radiation, and two electrical contacts arranged on the semiconductor body, wherein the contacts are electrically conductively connected to the active region and the contacts each have a connection surface facing away from the semiconductor body, wherein the connection surfaces are located on a connection side of the component, wherein a side of the component different from the connection side is coated with a mirror coating, and a method for manufacturing such components (para. [0014]).
In addition, US 2009/02833787 A1 (= citation D 2 of the invalidity action) describes a light-emitting diode comprising: a diode region having first and second opposing surfaces and containing therein an n-type layer and a p-type layer; an anode contact ohmically contacting the p-type layer and extending to a second surface of the diode region; and an anode contact ohmically contacting the p-type layer and extending to the second surface of the diode region.

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the first surface; a transparent insulating layer extending on the first surface outside the anode contact; and a reflective cathode contact electrically contacting the n-type layer and extending through the transparent insulating layer to the transparent insulating layer located outside the anode contact to cover substantially the entire first surface located outside the anode contact with the reflective cathode contact, and methods of manufacturing the same.
Based on this, the patent in suit according to the description of the patent in suit is based on the task (the technical problem) of providing a light-emitting diode with an improved current distribution performance and with an improved light extraction efficiency by improving the reflectivity, which is capable of reducing the voltage caused by a reflective layer. Furthermore, to provide a method for manufacturing a light-emitting diode which can improve the current distribution performance while avoiding a complicated manufacturing process. Finally, a technique for improving light extraction efficiency by surface patterning with a cost-effective and simple process is to be provided (para. [0017] - [0020]).
To solve this problem, patent claim 1 of the patent in suit protects a light-emitting diode which is characterised by a combination of the following features:
1. Light emitting diode, comprehensive
1.1. a semiconductor layer (110) of a first conductivity type;
1.2. a mesa;
1.3. a reflective electrode (140);
1.4. a current propagation layer (210);
1.5. a bottom insulating layer (200);
1.6. an upper insulating layer (220),
2. The semiconductor layer (110) of a first conductivity type
2.1. is formed on a substrate (100);
2.2. is exposed in the mesa-etched areas (150) through the lower insulating layer (200), including at one edge of the substrate (100).
3. The Mesa
3.1. is arranged on the semiconductor layer (110) of the first conductivity type;
3.2. comprises an active layer (120) and a semiconductor layer (130) of a second conductivity type.
4. The reflective electrode (140)
4.1. is ordered on the mesa and

4.2. so that it is in ohmic contact with the semiconductor layer (130) of the second conductivity type.
5. The current propagation layer (210)
5.1. is arranged on the mesa and the reflective electrode (140);
5.2. comprises a first portion arranged to be in ohmic contact with an upper surface of an end portion of the semiconductor layer (110) of the first conductivity type.
6. The bottom insulating layer (200)
6.1. is arranged between the mesa and the current propagation layer (210) as well as the reflective electrode (140) and the current propagation layer (210)
and
6.2. so that it isolates the current propagation layer (210) from the mesa and the reflective electrode (140).
7. The upper insulating layer (220)
7.1. covers the current propagation layer (210);
7.2. comprises a first hole exposing a second portion of the current propagation layer (210) disposed on an upper portion of the mesa.
2.
Some features require interpretation.
a)
According to Art. 69 EPC in conjunction with the Protocol on its interpretation, the patent claim is not only the starting point, but the decisive basis for determining the scope of protection of a European patent. The interpretation of a patent claim does not depend solely on its exact wording in the linguistic sense. Rather, the description and the drawings must always be taken into account as explanatory aids for the interpretation of the patent claim and not only be used to resolve any ambiguities in the patent claim. However, this does not mean that the patent claim merely serves as a guideline and that its subject matter also extends to what, after examination of the description and drawings, appears to be the patentee's request for protection (UPC_CoA_335/2023, order of 26 February 2023 in conjunction with order of 11 March 2023). Order of 11 March 2024, GRUR-RS 2024, 2829, Headnote 2. and para. 73 - 77 - 10x Genomics v. NanoString; UPC_COA_182/2024, order of 25 September 2024, para. 82 - Mammut Sports v. Ortovox Sportartikel; see also UPC_CFI_7/2024 (LD Düsseldorf), decision of 3 July 2024, ORD_598324/2023 - Franz Kaldewei v. Bette).
b)
In the opinion of the Local Division, the relevant expert is a graduate engineer or master's degree in electrical engineering or semiconductor physics with a degree from a university of applied sciences for an-

20

and several years of professional experience in the development of light-emitting diodes and processes for their manufacture.
c)
Having said this, the following applies:
aa)
According to the invention, the light-emitting diode has a semiconductor layer (110) of a first conductivity type which is formed on a substrate and which is exposed in the mesa- etched regions (150) through the lower insulating layer (200), including at an edge of the substrate (feature group 2.).
(1)
The person skilled in the art who addresses the question of the technical design of such areas will infer from patent claim 1 that these must be mesa-etched areas (plural) and thus at least two. The existence of a single such area is not sufficient for the realisation of the technical teaching protected by the patent in suit. Furthermore, the mesa- etched areas in patent claim 1 are only indirectly described to the effect that (a) the semiconductor layer of the first conductivity type is exposed in them and that (b) such exposure must be present "including at an edge of the substrate". The skilled person will search in vain in patent claim 1 for further specifications, for example on the shape or on the question of the superposition of mesa-etched areas.
(2)
If he then turns to the patent description, his attention is first drawn to paragraph [0125], where it
says:
"Referring to Figure 14, part of the active layer 120 and part of the second semiconductor layer 130 are removed by typical etching. As a result, the first semiconductor layer 110 is partially exposed. Through the etching process, an upper surface of the first semiconductor layer 110 is exposed, and side surfaces of the active layer 120 and the second semiconductor layer 130 are exposed. As a result, the active layer 120 and the second semiconductor layer 130 are partially removed to form trenches and holes through the etching process. In other words, the mesa-etched areas 150 formed from the surface of the second semiconductor layer 130 [...] to the surface of the first semiconductor layer 110 may be a trench-shaped stripe type or a hole type."
(emphasis added)
And in German version (Annex LL 8a):
"Referring to Figure 14, a portion of the active layer 120 and a portion of the second semiconductor layer 130 are removed by typical etching. As a result, the first semiconductor layer 110 is exposed. As a result of the etching process, a top surface of the first semiconductor layer 110 is exposed, and side surfaces of the active layer 120 and the second semiconductor layer 130 are exposed. As a result, the active layer 120 and the second semiconductor layer 130 are partially removed to form trenches and holes by the etching process. In other words, the mesa-etched regions 150 formed from the surface of the second semiconductor layer 130 [...] to the surface of the first semiconductor layer 110 may be trench-shaped, strip-shaped or hole-shaped."
(emphasis added)
Even though Figure 14 and the associated description are an example of an embodiment of the
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the above-mentioned excerpt from the patent-in-suit description shows the skilled person why mesa-etched areas are required according to the invention: If parts of the active layer and the second semiconductor layer are removed during the etching process, the first semiconductor layer is exposed in the mesa- etched areas (see also paragraphs [0147], [0165], [0167], [0195] and [0004] loc. cit. and [0072], the latter referring to "structuring of the second conductive semiconductor layer and the active layer"). Correspondingly, the patent in suit understands "mesa etching" to mean a process of partially etching the second conductive semiconductor layer and the active layer in order to expose the first conductive semiconductor layer (para. [0230]). Furthermore, since the first semiconductor layer is not covered by the lower insulating layer in the mesa-etched regions, an electrical connection is thus enabled via the current propagation layer (210) to the semiconductor layer of a first conductivity type.
(3)
As the skilled person will further understand from the description of the patent in suit, the mesa-etched regions can be trench-shaped, strip-shaped or hole-shaped (see paragraphs [0125] loc. cit., [0126], [0141], [0144], [0164], [0168]). However, since patent claim 1 does not mention the shape of the mesa-etched areas and it is also not apparent that the mesa-etched areas can only fulfil the function of exposing the first semiconductor layer assigned to them according to the invention with a specific shape, the design of the shape of the mesa-etched areas is left to the discretion of the skilled person.
(4)
According to the invention, the semiconductor layer of a first conductivity type is exposed in the mesa etched areas through the lower semiconductor layer, including at the edge of the substrate (100) (feature 2.2.).
As long as the semiconductor layer of the first conductivity type is also exposed at least in the areas mentioned, openings in the lower insulating layer in other areas do not lead out of the scope of protection of the patent in suit. Patent claim 1 does not require exclusive exposure in the mesa- etched areas, including at one edge of the substrate.
If the skilled person tries to understand the scope of feature 2.2, he recognises that the semiconductor layer should be exposed at one edge of the substrate. However, he also recognises that feature
2.2. neither requires an order at the outermost edge nor explicitly stipulates that no further areas may adjoin the exposed sections.
To answer the question of the scope of the requirement for an order at the edge of the substrate, the person skilled in the art will therefore turn to the function of the required order.
The patent in suit is silent on the technical background of the required order. It is only mentioned in paragraph [0078], where, unlike claim 1, the patent in suit does not refer to an order at the edge, but to such an order near an edge ("The openings 31a are disposed in a region between the mesas M and near an edge of the substrate 21 [...] "The openings 31a and 31b are disposed in a region between the mesas M and near an edge of the substrate 21 [...].").
However, the background of such an order becomes clear with a view to the overall arrangement of the light-emitting diode protected by patent application 1. If the semiconductor layer of the first conductivity type is exposed in the edge areas, it can be contacted there by the current propagation layer (features 2.2. and 5.2.). The actual contacting thus takes place

22

of the first semiconductor layer by the current spreading layer also in the edge areas of the semiconductor layer. As the plaintiff has argued without contradiction, the order of the exposed area at the edge of the substrate pursues the goal of enabling improved current distribution in the LED. It is technically irrelevant whether the outermost edge of the semiconductor layer is insulated and the contacting is between the mesa and the insulation, or whether the contacting extends to the outermost edge of the semiconductor layer. In both designs, the current flows into the mesa from the outside. This is where the light is generated and this current flow is decisive.
In contrast, an order of exposed areas at the outermost edge would indisputably be associated with a number of disadvantages. In addition to the risk of short circuits associated with such an order, the length of the path to be travelled by the current and thus the electrical resistance would increase without offering any advantage at the same time. In addition, an exposed metal side in the manufacturing process would lead to difficulties in cutting the LED chips (so-called "chip dicing"), whereby the chips produced in a contiguous manner are cut manually. This undoubtedly works better if the interface consists of the substrate and insulating layers than with metal edges (see replica, p. 4).
Based on this, the person skilled in the art comes to the realisation that the order "at the edge" is not to be understood in the sense of an order at the outermost edge. Rather, it is sufficient, but also necessary, that the exposed areas are located in the edge area in such a way that the above-mentioned current flow from the outside to the inside is possible and the above-mentioned disadvantages are avoided.
bb)
In addition to the semiconductor layer of a first conductivity type exposed in the mesa-etched regions, the light-emitting diode comprises a mesa (M), which is to be arranged on the first semiconductor layer (110) of the first conductivity type and comprises an active layer (120) and a semiconductor layer (130) of a conductivity type (feature group 3.).
Furthermore, the patent in suit does not define the term "mesa". According to the plaintiff's undisputed submission (see reply to the nullity counterclaim, p. 2 f.), a mesa is generally understood to be an elevation with a flat surface and a (more or less) steep flank. In the LED sector, the term mesa describes a structure or topography in the form of a raised area or plateau on the surface of the semiconductor material, which is formed by etching.
Although the description of the patent in suit repeatedly mentions a plurality of mesas and several mesas (see, for example, paragraphs [0021] - [0023], [0028], [0038], [0040], [0042],
[0044], [0071] - [0074], [0077] f., [0080], [0091], [0093] f.), the light-emitting diode comprises one mesa M ("a mesa", and thus neither at least one mesa nor a plurality of mesas) according to the patent claim relevant for the scope of protection. The fact that this specification is to be understood in the sense of a numerical limitation to exactly one mesa already becomes clear when looking at features 4. and 4.1. of the feature structure shown above: Accordingly, the reflective electrode is arranged on the mesa ("disposed on the mesa"). Correspondingly, subclaim 2 also refers to the surface of the mesa ("the mesa"). The presence of several mesas therefore leads out of the protected area.
The question of whether publicly accessible documents, such as the disclosure document, can be used to interpret the patent claim in the current claim version (cf: UPC_CFI_292/2023 (LK Munich), order of 20 December 2024 - SES-imagotag SA v. Hans- how Technology Co. Ltd. et al.; UPC_CFI_452/2023 (LK Düsseldorf), order of 9 April 2024 -
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Mammut Sports Group GmbH v. Ortovox Sportartikel GmbH), does not require a decision in the present case. The disclosure document confirms the result already reached on the basis of the patent in suit. While patent claim 1 of the disclosure document speaks of a "plurality of mesas", this is not reflected in patent claim 1 of the patent in suit. Rather, this claim refrains from the necessity of the existence of several mesas and instead requires that the light-emitting diode comprises "one mesa" in addition to other components. Consequently, patent claim 1 is specific with regard to the number of mesa(s): the light-emitting diode should comprise (exactly) one mesa. The parties agree on this in their explanations.
cc)
According to the invention, the light-emitting diode further comprises a reflective electrode arranged on the mesa, which is arranged such that it is in ohmic contact with the semiconductor layer (130) of the second conductivity type (feature group 4).
As long as the electrode has reflective properties and is in ohmic contact with the semiconductor layer of the second conductivity type, its further technical design is left to the skilled person. One way of making the electrode reflective is to provide a reflective metal layer which reflects the light generated in the active layer (see, for example, paragraphs [0010] and [0112] and Figures 10 and 12). The patent in suit mentions silver (Ag) or silver alloys or aluminium (Al) or aluminium alloys as possible materials for such a layer (para. [0010] a.E., [0075], [0098], [0112], [0115] f., [0129], [0140]).
The term "ohmic contact" is not defined in the patent in suit. It is undisputed that it is a term known in technical terminology. An ohmic contact in a semiconductor refers to a connection at which the electrical resistance between the semiconductor material and another electrical element, such as an electrode, is ohmic. This means that the electrical current is proportional to the applied voltage, i.e. it follows Ohm's law. A "conventional" metal-semiconductor contact, i.e. a metal that is in direct contact with a semiconductor, forms an ohmic contact (see statement of claim, p. 41).
dd)
In order to achieve the aim of the invention of an improved current distribution performance (see paragraphs [0014] and [0044]), the light-emitting diode protected by patent claim 1 has a current spreading layer (feature group 5.).
This is characterised in more detail in claim 1 in that it is arranged on the mesa and the reflective electrode (feature 5.1.). In addition, it is intended to comprise a first section which is arranged such that it is in ohmic contact with an upper side of an end section of the semiconductor layer of the first conductivity type (feature 5.2.).
Further specifications for the technical design of the current distribution layer are not found in paragraph claim 1. Insofar as the current distribution layer (33) is characterised in paragraph [0080] in connection with the explanation of the design shown in Figure 8 to the effect that it covers the plurality of mesas M (see also paragraphs [0022] and [0093] f.) and has openings in the upper region through which the reflective diodes are exposed, this is not reflected in the patent claim. It is a preferred embodiment to which the invention may not be reduced. The same applies insofar as the current spreading layer according to paragraph [0097] essentially covers a total area of the first conductive layer.

24

layer between the mesas M. Patent claim 1 does not specify the extent to which the current propagation layer covers certain areas. It is sufficient for the current spreading layer to be arranged on the mesa and the reflective electrode. In contrast, it does not require the entire surface of the first semiconductor layer to be covered, nor does it require the current propagation layer to be continuous. The fact that the patent in suit also recognises such a continuous formation of layers is shown in paragraph [0091], according to which the first semiconductor layer should be continuous. Patent claim 1 does not require this with regard to the current propagation layer.
If the current propagation layer is to electrically comprise a portion arranged to be in ohmic contact with an upper surface of an end portion of the semiconductor layer of the first conductivity type, it must cover this semiconductor layer to an extent that enables such a connection. It must therefore be located at least in the region of the end section of the semiconductor layer of the first conductivity type. In addition, the current propagation layer must be designed in such a way that it can be covered by the upper insulating layer (feature 7.1.).
That is all that is required by claim 1. As long as the current spreading layer can be supplied with current and has a first portion arranged to be in ohmic contact with a top surface of an end portion of the semiconductor layer of the first conductivity type, interruptions in the current spreading layer do not lead out of the scope of protection of the patent in suit.
The fact that the patent in suit also recognises a covering of the entire surface of the substrate is made clear in paragraph [0082] of the description of the patent in suit, which states, inter alia:
"The current spreading layer 33 is formed substantially over the entirety of the upper surface of the substrate 31 excluding the openings 33a. With this structure, current can be easily spread through the current spreading layer 33."
And in German version (Annex LL 8a):
"The current distribution layer 33 is formed essentially over the entire surface of the substrate with the exception of the openings 33a. In this structure, the current can be easily conducted through the current distribution layer 33."
(emphasis added)
However, patent claim 1 is not limited to such a restriction, as mentioned in the explanation of the embodiment example shown in Figure 8. The requirement for the current distribution layer to be formed over the entire surface of the substrate is not reflected in patent claim 1.
It can be assumed in the applicant's favour that a continuous design of the current propagation layer, as the applicant has argued in detail, possibly leads to an improved current distribution. If patent claim 1 also permits a non-full-surface configuration of the current propagation layer, it accepts the associated disadvantages. A restriction of the scope of protection below the wording of the patent claim cannot be justified on the basis of such functional considerations.
Even if the current propagation layer can also serve as a reflector in accordance with the invention, which may require a full-surface continuous layer, this does not justify any deviation.

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assessment. Equipping the current propagation layer with reflective properties is merely an optional design (paragraphs [0024], [0098], [0149] - [0151], [0170] - [0173]), which can only be realised with a certain design of the current propagation layer. This applies not only to the use of certain reflective materials, such as aluminium, but also to the shape of the current propagation layer. However, neither the configuration of the current propagation layer with reflective properties nor its material composition are reflected in patent claim 1. If the person skilled in the art wishes to assign such a function to the current propagation layer, he will equip the current propagation layer with corresponding reflective materials and opt for a shape of the layer that enables such reflection. However, this is not a condition for realising the much more broadly formulated patent claim 1.
ee)
As the person skilled in the art can see from feature group 6. of the feature structure shown above, a lower insulating layer is arranged according to the invention between the mesa and the current propagation layer and between the reflective electrode and the current propagation layer, which is arranged in such a way that it insulates the current propagation layer from the reflective electrode. As long as the lower insulating layer can fulfil its intended insulating function, its more detailed technical design is left to the skilled person.
ff)
According to the invention, the current propagation layer is to be covered by an upper insulating layer (feature group 6). Here, the upper insulating layer comprises a hole exposing a second portion of the current propagation layer arranged on an upper portion of the mesa.
The reason why such an upper insulating layer is required is clear to the person skilled in the art when looking at how a light-emitting diode works, which is common knowledge: Both the semiconducting layer of the first conductivity type and the semiconducting layer of the second conductivity type must each be connected to an external power source. While one of the semiconductor layers is positively charged, the other layer is negatively charged. Accordingly, each semiconductor layer must be electrically contacted separately. This results in two contact areas in which, on the one hand, only the current propagation layer is connected to the semiconductor layer of the first conductivity type (features 2.2., 5.2.) and, on the other hand, only the reflective electrode is connected to the semiconductor layer of the second conductivity type (feature 4.2.). Against this background, the upper insulating layer must have an insulating effect and accordingly cover the current propagation layer (first conductivity type) where the current is supplied to the electrode (second conductivity type). If this is ensured, the upper insulating layer covers the current propagation layer as required by feature 7.1. In contrast, it is not necessary to completely cover the current propagation layer, which only has the first hole within the meaning of feature 7.2.
If the person skilled in the art reads features 5.2. and 7.2. together, the current propagation layer thus has (at least) two sections: A first section is in ohmic contact with an upper side of the end section of the first semiconductor layer. A second section is arranged above the mesa and is exposed there due to a corresponding hole. This ensures that the current propagation layer can be supplied with current, for example via a pad arranged above the insulating layer. It is then responsible for supplying power to the semiconductor layer of a first conductivity type via the ohmic contact existing between the current propagation layer and an end section of the semiconductor layer of a first conductivity type (see paragraphs [0085] and [0095]).

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C. Merits of the action for annulment
The action for annulment is successful on the merits.
The patent in suit is not eligible for protection either in the registered version or in the version of the applications for amendment.
I.
The subject matter of claim 1 goes beyond the content of the original application and is therefore
based on an inadmissible extension.
1.
Art. 138(1)(c) EPC provides that a European patent may be declared invalid with effect for a Contracting State if the subject-matter of the European patent goes beyond the content of the application as originally filed or, if the patent was granted on the basis of a divisional application, beyond the content of the earlier application as originally filed (Art. 123(2) EPC).
2.
This is the case here. The disclosure lacks the disclosure of a light-emitting diode with a mesa and
a reflective electrode arranged on it (feature groups 3. and 4.), as protected by patent claim 1.
b)
The plaintiff rightly does not deny that the disclosure document (cf. Annex B 4) describes in
essential parts designs with a plurality of mesas and with reflective electrodes arranged on them.
(1)
For example, the light-emitting diode in claim 1 of the disclosure is characterised as follows:
"A light emitting diode, comprising
[...]
a plurality of mesas separated from each other on the first conducted type semiconductor layer and each comprising an active layer and a second conductive type semiconductor layer;
reflective electrodes each disposed on the corresponding mesa area and in the ohmic contact with the second conductive type semiconductor layer; [...]"
(emphasis added)
And in German translation (Annex B 4a):
"Light-emitting diode, comprehensive:
[...]
a plurality of mesas separated from each other on the semiconductor layer of a first conductivity type and each comprising an active layer and a semiconductor layer of a second conductivity type;

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reflective electrodes, each of which is arranged on the corresponding mesa area and is in ohmic contact with the semiconductor layer of the second conductivity type [...]"
(emphasis added)
The light-emitting diode described in this way is thus characterised by a large number of separate mesas and reflective electrodes, each of which is arranged on the corresponding area of the mesa.
(2)
Correspondingly, the general description of the disclosure also speaks of a plurality of separate mesas arranged on the first semiconductor layer and of electrodes, each of which is arranged on the corresponding mesa area (Annex B 4, p. 3 centre; Annex B4a, para. [0019]). There is no reference to a light-emitting diode equipped with only one mesa and one electrode in the general part of the description of the disclosure (see Annex B 4, p. 3 centre - p. 6 top; Annex B 4a, paras. [0019] - [0042]). Rather, the disclosure consistently describes designs with a large number of mesas and reflective electrodes on these mesas. This applies both with regard to the embodiments of the spatial and physical design of the mesas and with regard to the explanation of possible manufacturing processes.
(3)
The same applies to the embodiments illustrated in Figures 6 to 10, 13 to 18 and 19 to 23 together with the associated description (Appendix B 4, p. 9 bottom - p. 14 centre; p. 16 top - p. 14 centre). p. 20 above; p. 20 above - p. 22 above; Annex B 4a, para. [0067] - [0098]; para. [0116] - [0141]; para. [0142] - [0161]). At no point is a design with only one mesa and a reflective electrode arranged on it mentioned there. Rather, in the embodiments described there, the light-emitting diode has either a plurality of mesas ("plurality of mesas") and electrodes arranged on each of these ("reflective electrodes", emphasis added) or, insofar as the description deals only with the mesa-etched areas and not with the number of mesas, several reflective electrodes (see Annex B 4, p. 19 bottom and p. 20 centre; Annex B 4a, paras. [0141] and [0146]). Only the reference in the explanation of Figures 19 to 23 that the number of exposed electrodes can be changed as required (Annex B 4, p. 20 centre; Annex B 4a, para. [0145]) does not give the skilled person any reason to assume that, contrary to the claims and the further description, a design with only one mesa and one electrode arranged on it is now also to be protected, because the disclosure does not deal at all with the number of mesas in connection with Figures 19 to 23. Rather, the subject matter of this embodiment example is a method for manufacturing a light-emitting diode, in the context of which a part of the reflective electrodes is exposed.
(4)
Against this background, insofar as the plaintiff refers to the embodiment example shown in Figures 24 to 26 with regard to the disclosure of the light-emitting diode protected by the patent in suit with a mesa and an electrode arranged on it, there is also no corresponding disclosure there. The following (reduced) figure shows Figure 24 of the disclosure in a version coloured by the applicant:

28


The design has hole-shaped mesa-etched areas (150), with the first semiconductor layer being exposed in the mesa-etched areas (150) (see Appendix B 4, p. 22 centre; Appendix B 4a, paragraphs [0163] and [0167]). The mesa is not mentioned in the description in the context of the explanation of Figures 23 to 26.
However, the situation is different with the number of electrodes. Among other things, the following can be found:
"[...] The lower insulation layer 200 exposes part of an upper surface of each of the reflective electrodes 140 [...]."
"In some areas, the reflective electrodes 140 are exposed [...]."
"[...] the reflective electrodes 140 are electrically isolated from the current spreading layer [...]"
"[...] Specifically, in the sectional view taken along line D-D', two reflective electrodes 140 are ex-posed in a portion intersecting the two exposed reflective electrodes 140, and in a portion along line intersecting a region buried only by the incurrent layer 210, the lower insulation layer 200 is formed on the reflective electrodes 140 and the current spreading layer 200 is formed on the lower insulation layer 200."
(emphasis added)
And in German translation (Annex B 4a):
"[...] The lower insulating layer 200 exposes a portion of the upper surface of each of the reflective electrodes 140 [...]" (para [0164])
"In some areas, the reflective electrodes 140 are exposed [...]" (para. [0166])
"[...] the reflective electrodes 140 are electrically insulated from the current spreading layer 210 by a lower insulating layer 200." (para [0169])
"[...] In particular, in the sectional view along the line D-D', two reflective electrodes 140 are exposed in a portion intersecting the two exposed electrodes 140, and in a portion along the line intersecting a region covered only by the current distribution layer, the lower insulating layer 200 is formed on the reflective electrodes 140 and the current distribution layer 210 is formed on the lower insulating layer." (para [0170])
29

Based on this, the person skilled in the art who approaches the embodiment example shown in Figures 23 to 26 on the basis of the description comes to the realisation that the light-emitting diode forming the object of this embodiment example has several, but at least two electrodes (140). The fact that, in the context of the explanation of Figure 26, the disclosure document refers once to "the reflective electrode" (singular) being partially exposed by the upper insulating layer 220 does not lead the person skilled in the art to a different assessment, if only because the disclosure document again refers to the "reflective electrodes 140" (plural) in the following sentence, in accordance with the further description.
To the extent that the plaintiff attempted to explain the use of the plural in the context of the oral proceedings with peculiarities of the Korean language, it cannot prevail because the patent in suit was filed in English and the application was also disclosed in this language. This language version alone is therefore decisive in the assessment of the inadmissible extension. Any translation errors are at the expense of the patent proprietor and thus in this case the plaintiff. Apart from this, the disclosure document does not leave the use of the plural in relation to the electrodes, but expressly refers to "two reflective electrodes" or "each of the reflective electrodes". The reference to several electrodes in the description can therefore not be explained by mere translation errors or a supposed lack of sensitivity in the Korean language in distinguishing between singular and plural.
As the plaintiff submitted uncontradicted at the oral hearing, it is part of the general specialised knowledge in the field of LED technology that one mesa is equipped with one electrode or - to put it the other way round - that one mesa cannot have more than one electrode. If this is the case, the person skilled in the art can only conclude from the description of the disclosure document and the multiple electrodes described therein that the design shown in Figure 24 has more than one mesa. Since the description does not mention the number of mesas, but at the same time expressly describes several electrodes, the skilled person in any case has no reason to assume that only one design with one mesa and one electrode arranged thereon is disclosed.
Nothing else applies in the event that the skilled person approaches the embodiment example starting from Figure 24. The skilled person will recognise that, unlike in Figures 6 to 10, the sectional view below does not necessarily show a plurality of mesas. The alternation between raised and flat sections results from the selected section, which comprises several hole-shaped mesa-etched areas. However, the figure alone does not necessarily lead to the conclusion that only one mesa is shown. Such a mesa is not clearly visible either in the top view or in the sectional view. What the skilled person can see, however, are the electrodes (140), of which a total of three can be seen. If, on this basis, the skilled person draws on the general specialised knowledge described by the plaintiff itself, which remains undisputed, and assumes against this background that in the field of LED technology each electrode is always assigned to a mesa and a mesa cannot be equipped with several electrodes, figure 24 also allows only one conclusion for him: the figure shows not one, but several mesas, each with one electrode. Even when viewed in this way, Figure 24 therefore does not reveal a light-emitting diode with a mesa and a reflective electrode arranged on it. If, on the other hand, the person skilled in the art first looks at the overall representation in isolation and, based on this, sees the representation of a mesa in Figure 24, he will then look at the other properties of the design shown. At the latest then, his gaze will fall on the three electrodes shown and he will recognise that, taking into account the general technical knowledge, it cannot be a representation of a mesa. Even when viewed in this way, there is no

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The disclosure of a mesa with a reflective electrode arranged on it, as protected by patent claim 1.
II.
The auxiliary requests formulated by the plaintiff also consistently require the presence of a mesa on which the reflective electrode is arranged. They are therefore not suitable from the outset to eliminate the unauthorised extension.
D. Merits of the action
The action is unfounded. Due to the invalidity of the patent in dispute, the infringement action already lacks a basis.
E. Legal consequences
The European patent EP 3 223 320 B1 is to be declared invalid for the territory of the Federal Republic of Germany, the French Republic, the Italian Republic and the Kingdom of the Netherlands.
The action for infringement must be dismissed.
Orders the applicant to pay the costs (Article 69(1) UPCA).
Pursuant to Art. 69 para. 1 RoP, the costs are to be borne up to an upper limit set in accordance with the Rules of Procedure. With an amount in dispute of EUR 500,000, the table adopted by the administrative exclusion on 24 April 2023 on the basis of R. 152.2 RoP provides for an upper limit for the recoverable costs of up to EUR 56,000, which in the present case was to be set for both the action and the action for annulment. Insofar as the parties mutually recognised a recoverable amount of EUR 100,000 as recoverable at the hearing, it must be assumed, in the absence of any indications to the contrary, that this amount is divided equally between the action and the action for annulment. Accordingly, it is below the fixed upper limit. There are therefore no objections to the eligibility for reimbursement.

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DECISION:
A. The European patent EP 3 223 320 B1 is declared invalid for the territory of the Federal Republic of Germany, the French Republic, the Italian Republic and the Kingdom of the Netherlands.
B. The applications to amend the patent in suit are dismissed.
C. The action for infringement is dismissed.
D. Orders the applicant to pay the costs.
E. The amount in dispute for the action and the action for annulment is set at EUR 500,000.00 each.
F. The upper limit for reimbursable representation costs is set at EUR 56,000.00 for both the action and the action for annulment.
DETAILS OF THE ORDER:
Main file reference ACT_594849/2023 and CC_3555/2024
UPC number: UPC_CFI_483/2023
Type of proceedings: Action for infringement and action for annulment
Düsseldorf on 10 October 2024 NAMES
AND SIGNATURES
Presiding Judge Thomas Ronny Digital
signed by
Ronny Thomas
ThomasDate: 2024.10.09 17:30:23 +02'00'
Legally qualified judge Dr Thom Anna
Bérénice Dr THOM
Bérénice Digitally signed by Anna
Date: 2024.10.04 15:40:06 +02'00'
Dr THOM


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Legally qualified judge Mlakar MLAKAMOJCADigitalno podpisal MOJCA MLAKAR RDate: 2024.10.04 13:44:12 +02'00'
Technically qualified judge Sanira AlessandDigitally signed
Sani mfro14:48:10 Alessandr+02'00'a Sani
Date: 2024.10.03
For the Deputy Chancellor Boudra-Seddiki Rachida Digitally signed
by Rachida Boudra-
Boudra- Seddiki
Date: 2024.10.04
Seddiki 14:49:49 +02'00'

INFORMATION ON THE APPOINTMENT:
An appeal against this decision may be lodged with the Court of Appeal within two months of service of the decision by any party whose requests have been unsuccessful in whole or in part (Art. 73(1) UPCA, R. 220.1(a), 224.1(a) RoP).
Information on enforcement (Art. 82 UPCA, Art. 37 para. 2 EPGS, R. 118.8, 158.2, 354, 355.4 RoP):
A certified copy of the enforceable judgement is issued by the Deputy Registrar at the request of the enforcing party, R. 69 RegR.
Instruction to the register:
A certified copy of the decision must be sent to the European Patent Office, the German Patent and Trade Mark Office, the Institut National de la Propriété Industrielle, the Italian Patent and Trade Mark Office and the Dutch Patent Office as soon as the decision on the nullity objections has become final.
This decision was announced in open court on 10 October 2024. Presiding Judge